Microchip Technology DSC1018CI1-100.0000T
-3.20-mm-x-2.50-mm.jpg)
- 제조업체 부품 번호
- DSC1018CI1-100.0000T
- 제조업 자
- Microchip Technology
- 제품 카테고리
- 발진기
- 간단한 설명
- 100MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 1.8V 5mA (Typ) Standby (Power Down)
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
DSC1018CI1-100.0000T 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- N/A
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of DSC1018CI1-100.0000T, we specialize in all series Microchip Technology electronic components. DSC1018CI1-100.0000T can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DSC1018CI1-100.0000T, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- DSC1018CI1-100.0000T 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
DSC1018CI1-100.0000T 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-DSC1018CI1-100.0000T | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | DSC1018 | |
| 애플리케이션 노트 | Clock System Design High-Speed PECL and LVPECL Termination | |
| 종류 | 수정 및 발진기 | |
| 제품군 | 발진기 | |
| 제조업체 | Microchip Technology | |
| 계열 | DSC1018 | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 견적 필요 | |
| 유형 | MEMS(실리콘) | |
| 주파수 | 100MHz | |
| 기능 | 대기(절전) | |
| 출력 | CMOS | |
| 전압 - 공급 | 1.8V | |
| 주파수 안정도 | ±50ppm | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 85°C | |
| 전류 - 공급(최대) | 5mA(일반) | |
| 등급 | - | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 크기/치수 | 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) | |
| 높이 | 0.035"(0.90mm) | |
| 패키지/케이스 | 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | |
| 전류 - 공급(비활성화)(최대) | 1µA | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | DSC1018CI1-100.0000T | |
| 관련 링크 | DSC1018CI1, DSC1018CI1-100.0000T Datasheet, Microchip Technology Distributor | |
DSC1018CI1-100.0000T 의 관련 제품
 | EEU-HD1H470B | 47µF 50V Aluminum Capacitors Radial, Can 1000 Hrs @ 105°C | EEU-HD1H470B.pdf | |
 | FK14X5R0J156M | 15µF 6.3V 세라믹 커패시터 X5R 방사 0.177" L x 0.098" W(4.50mm x 2.50mm) | FK14X5R0J156M.pdf | |
 | 416F48013CTR | 48MHz ±10ppm 수정 6pF 100옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F48013CTR.pdf | |
 | NS10145T3R3NNA | 3.3µH Shielded Wirewound Inductor 6.1A 12 mOhm Max Nonstandard | NS10145T3R3NNA.pdf | |
 | B78108E1104J000 | 100µH Unshielded Wirewound Inductor 640mA 1.45 Ohm Max Axial | B78108E1104J000.pdf | |
 | ELL-6GM680M | 68µH Shielded Wirewound Inductor 350mA 820 mOhm Nonstandard | ELL-6GM680M.pdf | |
.jpg) | RPC2512JT1K00 | RES SMD 1K OHM 5% 1.5W 2512 | RPC2512JT1K00.pdf | |
.jpg) | RT0805FRD07510KL | RES SMD 510K OHM 1% 1/8W 0805 | RT0805FRD07510KL.pdf | |
.jpg) | AT0603DRD073K01L | RES SMD 3.01KOHM 0.5% 1/10W 0603 | AT0603DRD073K01L.pdf | |
 | RG2012P-1621-D-T5 | RES SMD 1.62K OHM 0.5% 1/8W 0805 | RG2012P-1621-D-T5.pdf | |
 | SFR25H0007871FR500 | RES 7.87K OHM 1/2W 1% AXIAL | SFR25H0007871FR500.pdf | |
| Y1445200R000B0L | RES 200 OHM 0.6W 0.1% RADIAL | Y1445200R000B0L.pdf |
