Microchip Technology DSC1123CE1-200.0000T

DSC1123CE1-200.0000T
제조업체 부품 번호
DSC1123CE1-200.0000T
제조업 자
제품 카테고리
발진기
간단한 설명
200MHz LVDS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.6 V 32mA Enable/Disable
Datesheet 다운로드
다운로드
DSC1123CE1-200.0000T 가격 및 조달

가능 수량

1150 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
N/A
우리의 가격
Quote by Email

수량

 

We are the stock Distributor of DSC1123CE1-200.0000T, we specialize in all series Microchip Technology electronic components. DSC1123CE1-200.0000T can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DSC1123CE1-200.0000T, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
DSC1123CE1-200.0000T 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
DSC1123CE1-200.0000T 매개 변수
내부 부품 번호EIS-DSC1123CE1-200.0000T
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서DSC1103,23 Datasheet
DSC1,8yyy Top Marking Spec
애플리케이션 노트Clock System Design
High-Speed PECL and LVPECL Termination
종류수정 및 발진기
제품군발진기
제조업체Microchip Technology
계열DSC1123
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황견적 필요
유형MEMS(실리콘)
주파수200MHz
기능활성화/비활성화
출력LVDS
전압 - 공급2.25 V ~ 3.6 V
주파수 안정도±50ppm
작동 온도-20°C ~ 70°C
전류 - 공급(최대)32mA
등급AEC-Q100
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
크기/치수0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm)
높이0.035"(0.90mm)
패키지/케이스6-SMD, 무연(DFN, LCC)
전류 - 공급(비활성화)(최대)22mA
표준 포장 1,000
무게0.001 KG
신청Email for details
대체 부품 (교체)DSC1123CE1-200.0000T
관련 링크DSC1123CE1, DSC1123CE1-200.0000T Datasheet, Microchip Technology Distributor
DSC1123CE1-200.0000T 의 관련 제품
1000pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.142" L x 0.098" W(3.60mm x 2.50mm) RCE5C1H102J0DBH03A.pdf
1000pF 100V 세라믹 커패시터 X7R 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) GRM155R72A102KA01J.pdf
10000pF 25V 세라믹 커패시터 X7R 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.032" W(1.60mm x 0.81mm) 06033C103M4T4A.pdf
12pF 400VAC 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사형, 디스크 0.276" Dia(7.00mm) C901U120JYNDCA7317.pdf
0.033µF Film Capacitor 220V 1000V (1kV) Polyester, Metallized Axial 0.413" Dia x 0.748" L (10.50mm x 19.00mm) MKT1813333106.pdf
52MHz ±20ppm 수정 18pF 100옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) 416F52025IDR.pdf
39µH Unshielded Wirewound Inductor 1.1A 80 mOhm Max Radial RCH895NP-390K.pdf
3.9mH Unshielded Inductor 250mA 9.14 Ohm Max Nonstandard IHSM7832RG392L.pdf
General Purpose Digital Isolator 2500Vrms 5 Channel 150Mbps 35kV/µs CMTI 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) SI8652BB-B-IS1R.pdf
RES CHAS MNT 51 OHM 5% 50W HSA5051RJ.pdf
RES SMD 24 OHM 1% 1/8W 0805 ERJ-S06F24R0V.pdf
RES SMD 1.5K OHM 2% 5W 0505 RCP0505B1K50GED.pdf