Microchip Technology DSC2010FE2-B0008T

DSC2010FE2-B0008T
제조업체 부품 번호
DSC2010FE2-B0008T
제조업 자
제품 카테고리
핀 구성 가능 발진기
간단한 설명
66.6666MHz, 83.3333MHz, 100MHz CMOS MEMS (Silicon) Pin Configurable Oscillator 14-VFQFN Exposed Pad 2.25 V ~ 3.6 V 35mA Enable/Disable
Datesheet 다운로드
다운로드
DSC2010FE2-B0008T 가격 및 조달

가능 수량

1150 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
N/A
우리의 가격
Quote by Email

수량

 

We are the stock Distributor of DSC2010FE2-B0008T, we specialize in all series Microchip Technology electronic components. DSC2010FE2-B0008T can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DSC2010FE2-B0008T, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
DSC2010FE2-B0008T 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
DSC2010FE2-B0008T 매개 변수
내부 부품 번호EIS-DSC2010FE2-B0008T
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서DSC2010FE2-B0008 Datasheet
PCN 설계/사양Top Marking Update 02/Jul/2015
종류수정 및 발진기
제품군핀 구성 가능 발진기
제조업체Microchip Technology
계열DSC2010
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황견적 필요
유형MEMS(실리콘)
주파수 - 출력 166.6666MHz, 83.3333MHz, 100MHz
주파수 -출력 2-
기능활성화/비활성화
출력CMOS
전압 - 공급2.25 V ~ 3.6 V
주파수 안정도±25ppm
작동 온도-20°C ~ 70°C
전류 - 공급(최대)35mA
크기/치수0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm)
높이0.035"(0.90mm)
패키지/케이스14-VFQFN 노출형 패드
전류 - 공급(비활성화)(최대)23mA
표준 포장 1,000
무게0.001 KG
신청Email for details
대체 부품 (교체)DSC2010FE2-B0008T
관련 링크DSC2010F, DSC2010FE2-B0008T Datasheet, Microchip Technology Distributor
DSC2010FE2-B0008T 의 관련 제품
22000µF 40V Aluminum Capacitors Radial, Can - Screw Terminals 30 mOhm 5000 Hrs @ 95°C 500C223T040BB2B.pdf
15pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) CC1206FRNPO9BN150.pdf
6800pF 2000V(2kV) 세라믹 커패시터 방사형, 디스크 0.512" Dia(13.00mm) HBX682SBBCF0KR.pdf
47µF Molded Tantalum Capacitors 10V 1210 (3528 Metric) 1 Ohm 0.138" L x 0.110" W (3.50mm x 2.80mm) TAJB476M010SNJ.pdf
26MHz ±30ppm 수정 12pF 60옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) 7M-26.000MAHE-T.pdf
4.433619MHz ±30ppm 수정 18pF 120옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US GL044F35CDT.pdf
TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3 DRA2115E0L.pdf
MOSFET N-CH 250V 7.4A IPAK FQU9N25TU.pdf
470nH Shielded Wirewound Inductor 2.55A 36 mOhm Max 1210 (3225 Metric) LQH32PBR47NN0L.pdf
RES SMD 600 OHM 0.05% 0.3W 1206 Y1625600R000A9W.pdf
RES 237K OHM 1/4W 0.1% AXIAL H8237KBDA.pdf
815MHz Whip, Straight RF Antenna 760MHz ~ 870MHz 3dBi Connector, NMO Base Mount BB7603R.pdf