창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-DSC2010FI1-A0003T | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
PCN 설계/사양 | Top Marking Update 02/Jul/2015 | |
종류 | 수정 및 발진기 | |
제품군 | 핀 구성 가능 발진기 | |
제조업체 | Microchip Technology | |
계열 | DSC2010 | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 견적 필요 | |
유형 | MEMS(실리콘) | |
주파수 - 출력 1 | 25MHz, 75MHz, 125MHz, 150MHz | |
주파수 -출력 2 | - | |
기능 | 활성화/비활성화 | |
출력 | CMOS | |
전압 - 공급 | 2.25 V ~ 3.6 V | |
주파수 안정도 | ±50ppm | |
작동 온도 | -40°C ~ 85°C | |
전류 - 공급(최대) | 35mA | |
크기/치수 | 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) | |
높이 | 0.035"(0.90mm) | |
패키지/케이스 | 14-SMD, 무연(QFN, LCC) | |
전류 - 공급(비활성화)(최대) | 23mA | |
표준 포장 | 1,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | DSC2010FI1-A0003T | |
관련 링크 | DSC2010F, DSC2010FI1-A0003T Datasheet, Microchip Technology Distributor |
CGA3E3X8R2A333M080AB | 0.033µF 100V 세라믹 커패시터 X8R 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | CGA3E3X8R2A333M080AB.pdf | ||
VJ0402A3R3CNAAJ | 3.3pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | VJ0402A3R3CNAAJ.pdf | ||
416F25022IAT | 25MHz ±20ppm 수정 10pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F25022IAT.pdf | ||
SIT8008BC-22-33E-80.00000D | OSC XO 3.3V 80MHZ OE | SIT8008BC-22-33E-80.00000D.pdf | ||
IXGE200N60B | IGBT 600V ISOPLUS227 | IXGE200N60B.pdf | ||
LB2016T220K | 22µH Unshielded Wirewound Inductor 105mA 1 Ohm 0806 (2016 Metric) | LB2016T220K.pdf | ||
34L472C | 4.7µH Shielded Wirewound Inductor 700mA 180 mOhm Max Nonstandard | 34L472C.pdf | ||
RC1210FR-072K2L | RES SMD 2.2K OHM 1% 1/2W 1210 | RC1210FR-072K2L.pdf | ||
RT0603BRC071K13L | RES SMD 1.13KOHM 0.1% 1/10W 0603 | RT0603BRC071K13L.pdf | ||
RR02J2R7TB | RES 2.70 OHM 2W 5% AXIAL | RR02J2R7TB.pdf | ||
CW02B225R0JE70 | RES 225 OHM 3.75W 5% AXIAL | CW02B225R0JE70.pdf | ||
CMF5534K400BER670 | RES 34.4K OHM 1/2W .1% AXIAL | CMF5534K400BER670.pdf |