창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-DSC8002CI2 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | DSC8002 Series Datasheet | |
종류 | 수정 및 발진기 | |
제품군 | 프로그래밍 가능 발진기 | |
제조업체 | Microchip Technology | |
계열 | DSC8002 | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
유형 | MEMS(실리콘) | |
프로그래밍 가능 유형 | 블랭크(사용자 프로그램) | |
가용 주파수 범위 | 1MHz ~ 150MHz | |
기능 | 대기 | |
출력 | CMOS | |
전압 - 공급 | 1.8 V ~ 3.3 V | |
주파수 안정도 | - | |
주파수 안정도(총) | ±25ppm | |
작동 온도 | -40°C ~ 85°C | |
확산 대역 대역폭 | - | |
전류 - 공급(최대) | 10mA | |
등급 | - | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | |
크기/치수 | 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) | |
높이 | 0.035"(0.90mm) | |
전류 - 공급(비활성화)(최대) | 1µA | |
표준 포장 | 110 | |
다른 이름 | 576-4675 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | DSC8002CI2 | |
관련 링크 | DSC80, DSC8002CI2 Datasheet, Microchip Technology Distributor |
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![]() | TD045150WJ10136BF1 | 100pF 14000V(14kV) 세라믹 커패시터 R7 비표준형, 태빙 1.772" Dia(45.00mm) | TD045150WJ10136BF1.pdf | |
![]() | ECJ-1VB0J394K | 0.39µF 6.3V 세라믹 커패시터 X5R 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | ECJ-1VB0J394K.pdf | |
![]() | GRM0225C1C270JD05D | 27pF 16V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 01005(0402 미터법) 0.016" L x 0.008" W(0.40mm x 0.20mm) | GRM0225C1C270JD05D.pdf | |
![]() | L60S001.T | FUSE CARTRIDGE 1A 600VAC NON STD | L60S001.T.pdf | |
![]() | ABM3-25.000MHZ-B2-T | 25MHz ±20ppm 수정 18pF 30옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | ABM3-25.000MHZ-B2-T.pdf | |
![]() | ATS098B-E | 9.8304MHz ±30ppm 수정 18pF 60옴 -40°C ~ 85°C 스루홀 HC49/US | ATS098B-E.pdf | |
![]() | BZT52B9V1-G3-08 | DIODE ZENER 9.1V 410MW SOD123 | BZT52B9V1-G3-08.pdf | |
![]() | FDMA3023PZ | MOSFET 2P-CH 30V 2.9A MICROFET6 | FDMA3023PZ.pdf | |
FGI3236_F085 | IGBT 360V 44A 187W I2PAK | FGI3236_F085.pdf | ||
![]() | CRCW25123R09FNEG | RES SMD 3.09 OHM 1% 1W 2512 | CRCW25123R09FNEG.pdf | |
![]() | E3T-FL11-M1TJ 0.3M | SENSOR DIFF/REF 0.3M LT ON NPN | E3T-FL11-M1TJ 0.3M.pdf |