Microchip Technology DSC8121DI2T
- 제조업체 부품 번호
- DSC8121DI2T
- 제조업 자
- Microchip Technology
- 제품 카테고리
- 프로그래밍 가능 발진기
- 간단한 설명
- 10MHz ~ 100MHz CMOS MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.6 V 35mA Enable/Disable
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
DSC8121DI2T 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- N/A
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of DSC8121DI2T, we specialize in all series Microchip Technology electronic components. DSC8121DI2T can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DSC8121DI2T, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- DSC8121DI2T 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
DSC8121DI2T 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-DSC8121DI2T | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | DSC8101,21 Datasheet DSC1,8yyy Top Marking Spec | |
| 종류 | 수정 및 발진기 | |
| 제품군 | 프로그래밍 가능 발진기 | |
| 제조업체 | Microchip Technology | |
| 계열 | DSC8121 | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 견적 필요 | |
| 유형 | MEMS(실리콘) | |
| 프로그래밍 가능 유형 | 블랭크(사용자 프로그램) | |
| 가용 주파수 범위 | 10MHz ~ 100MHz | |
| 기능 | 활성화/비활성화 | |
| 출력 | CMOS | |
| 전압 - 공급 | 2.25 V ~ 3.6 V | |
| 주파수 안정도 | ±25ppm | |
| 주파수 안정도(총) | - | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 85°C | |
| 확산 대역 대역폭 | - | |
| 전류 - 공급(최대) | 35mA | |
| 등급 | - | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 6-SMD, 무연(DFN, LCC) | |
| 크기/치수 | 0.098" L x 0.079" W(2.50mm x 2.00mm) | |
| 높이 | 0.035"(0.90mm) | |
| 전류 - 공급(비활성화)(최대) | 22mA | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | DSC8121DI2T | |
| 관련 링크 | DSC81, DSC8121DI2T Datasheet, Microchip Technology Distributor | |
DSC8121DI2T 의 관련 제품
 | 515D108M025DG6CE3 | 1000µF 25V Aluminum Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 85°C | 515D108M025DG6CE3.pdf | |
 | B43305B2108M | 1000µF 200V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 130 mOhm @ 100Hz 2000 Hrs @ 85°C | B43305B2108M.pdf | |
 | VJ1210A470JBAAT4X | 47pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1210(3225 미터법) 0.132" L x 0.098" W(3.35mm x 2.50mm) | VJ1210A470JBAAT4X.pdf | |
.jpg) | 102S42E1R4CV4E | 1.4pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1111(2828 미터법) 0.110" L x 0.110" W(2.79mm x 2.79mm) | 102S42E1R4CV4E.pdf | |
 | 445C23E24M57600 | 24.576MHz ±20ppm 수정 20pF 40옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445C23E24M57600.pdf | |
 | KN3270031 | 32.768kHz CMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V 500µA Enable/Disable | KN3270031.pdf | |
 | SIT9002AI-08H33DK | 1MHz ~ 220MHz LVPECL MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 3.3V 84mA | SIT9002AI-08H33DK.pdf | |
 | NVMFS5885NLT3G | MOSFET N-CH 60V 39A SO8FL | NVMFS5885NLT3G.pdf | |
 | EL3H7(H)(TB)-G | Optoisolator Transistor Output 3750Vrms 1 Channel 4-SSOP | EL3H7(H)(TB)-G.pdf | |
 | CB1AVF-24V | CB RELAY 1 FORM A 35A 24V | CB1AVF-24V.pdf | |
 | ERJ-6ENF8660V | RES SMD 866 OHM 1% 1/8W 0805 | ERJ-6ENF8660V.pdf | |
 | RC12JB360R | RES 360 OHM 1/2W 5% AXIAL | RC12JB360R.pdf |
