창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-EEE-TG1V102M | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | Obsolete / Discontinued | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
표준 포장 | 125 | |
다른 이름 | EEETG1V102M PCE4111TR | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 알루미늄 커패시터 | |
제조업체 | Panasonic Electronic Components | |
계열 | Automotive, AEC-Q200, TG | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
정전 용량 | 1000µF | |
허용 오차 | ±20% | |
정격 전압 | 35V | |
등가 직렬 저항(ESR) | 75m옴 @ 100kHz | |
수명 @ 온도 | 2000시간(125°C) | |
작동 온도 | -40°C ~ 125°C | |
분극 | 극성 | |
응용 제품 | 범용 | |
리플 전류 | 845mA @ 120Hz | |
임피던스 | - | |
리드 간격 | - | |
크기/치수 | 0.709" Dia(18.00mm) | |
높이 - 장착(최대) | 0.650"(16.50mm) | |
표면 실장 면적 크기 | 0.748" L x 0.748" W(19.00mm x 19.00mm) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 레이디얼, Can - SMD | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | EEE-TG1V102M | |
관련 링크 | EEE-TG, EEE-TG1V102M Datasheet, Panasonic Electronic Components Distributor |
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![]() | EEE-1EA470UP | 47µF 25V Aluminum Capacitors Radial, Can - SMD 2000 Hrs @ 85°C | EEE-1EA470UP.pdf | |
![]() | VJ0603D2R4CXPAC | 2.4pF 250V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D2R4CXPAC.pdf | |
![]() | VJ1808A430JBEAT4X | 43pF 500V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1808(4520 미터법) 0.186" L x 0.080" W(4.72mm x 2.03mm) | VJ1808A430JBEAT4X.pdf | |
![]() | 2056-35-B3FLF | GDT 350V 20% 5KA T/H FAIL SHORT | 2056-35-B3FLF.pdf | |
![]() | 4P160F35IST | 16MHz ±30ppm 수정 시리즈 40옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | 4P160F35IST.pdf | |
![]() | MLG0603P2N6BTD25 | 2.6nH Unshielded Multilayer Inductor 500mA 200 mOhm Max 0201 (0603 Metric) | MLG0603P2N6BTD25.pdf | |
![]() | CMRD6045P | RELAY SSR 48-660 V | CMRD6045P.pdf | |
![]() | PT0603FR-7W0R82L | RES SMD 0.82 OHM 1% 1/5W 0603 | PT0603FR-7W0R82L.pdf | |
![]() | RG3216N-2553-W-T1 | RES SMD 255K OHM 0.05% 1/4W 1206 | RG3216N-2553-W-T1.pdf | |
![]() | 1676374-5 | RES SMD 54.9KOHM 0.1% 1/10W 0805 | 1676374-5.pdf | |
![]() | NKN400JR-73-3R3 | RES 3.3 OHM 4W 5% AXIAL | NKN400JR-73-3R3.pdf |