창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-EFC6601R-A-TR | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
표준 포장 | 5,000 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 2 N 채널(이중) 공통 드레인 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 2.5V 구동 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | - | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | - | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | - | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | - | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 48nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
전력 - 최대 | 2W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 6-XFBGA | |
공급 장치 패키지 | 6-EFCP(2.7x1.81) | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | EFC6601R-A-TR | |
관련 링크 | EFC660, EFC6601R-A-TR Datasheet, ON Semiconductor Distributor |
C1608NP02A560J080AA | 56pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | C1608NP02A560J080AA.pdf | ||
CC0603MRY5V9BB473 | 0.047µF 50V 세라믹 커패시터 Y5V(F) 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | CC0603MRY5V9BB473.pdf | ||
102S42E101KV4E | 100pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1111(2828 미터법) 0.110" L x 0.110" W(2.79mm x 2.79mm) | 102S42E101KV4E.pdf | ||
824011 | TVS DIODE 5VWM 8.5VC SOT23 | 824011.pdf | ||
416F38433IAT | 38.4MHz ±30ppm 수정 10pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F38433IAT.pdf | ||
FXO-HC536-25.00125 | 25.00125MHz HCMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V 35mA Enable/Disable | FXO-HC536-25.00125.pdf | ||
CZRQR39VB-HF | DIODE ZENER 39V 125MW 0402 | CZRQR39VB-HF.pdf | ||
1025R-16K | 680nH Unshielded Molded Inductor 500mA 600 mOhm Max Axial | 1025R-16K.pdf | ||
RT1210FRD0716R9L | RES SMD 16.9 OHM 1% 1/4W 1210 | RT1210FRD0716R9L.pdf | ||
MDP160320K0GE04 | RES ARRAY 8 RES 20K OHM 16DIP | MDP160320K0GE04.pdf | ||
CMF55220R00FKRE | RES 220 OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF55220R00FKRE.pdf | ||
E2E-X2D1-N13 0.3M | Inductive Proximity Sensor 0.079" (2mm) IP67 Cylinder, Threaded - M8 | E2E-X2D1-N13 0.3M.pdf |