창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-EKSHCNZXZ | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 면제 / RoHS 준수 면제 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | EYSHCNZXZ Bluetooth® Smart Module EBSHCN, EKSHCN Eval Board_Kit Manual | |
종류 | RF/IF 및 RFID | |
제품군 | RF 평가 및 개발 키트, 기판 | |
제조업체 | Taiyo Yuden | |
계열 | - | |
부품 현황 | * | |
유형 | 트랜시버, Bluetooth® Smart 4.x 저에너지(BLE) | |
주파수 | 2.4GHz | |
함께 사용 가능/관련 부품 | EYSHCNZXZ | |
제공된 구성 | 2개 기판, 케이블 | |
표준 포장 | 1 | |
다른 이름 | 587-4562 GT EKSHCNZXZ | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | EKSHCNZXZ | |
관련 링크 | EKSH, EKSHCNZXZ Datasheet, Taiyo Yuden Distributor |
![]() | 1.5KE56CA-B | TVS DIODE 47.8VWM 77VC AXIAL | 1.5KE56CA-B.pdf | |
![]() | AB-16.000MHZ-B2 | 16MHz ±20ppm 수정 18pF 25옴 -20°C ~ 70°C 스루홀 HC49/U | AB-16.000MHZ-B2.pdf | |
![]() | STF23N80K5 | MOSFET N-CH 800V 16A | STF23N80K5.pdf | |
![]() | SPB21N50C3 | MOSFET N-CH 560V 21A TO-263 | SPB21N50C3.pdf | |
FCI25N60N_F102 | MOSFET N-CH 600V 25A I2PAK | FCI25N60N_F102.pdf | ||
![]() | S1812-564J | 560µH Shielded Inductor 84mA 28 Ohm Max 1812 (4532 Metric) | S1812-564J.pdf | |
![]() | RT0603BRB071K91L | RES SMD 1.91KOHM 0.1% 1/10W 0603 | RT0603BRB071K91L.pdf | |
![]() | WSLT2010R1500FEB18 | RES SMD 0.15 OHM 1% 1W 2010 | WSLT2010R1500FEB18.pdf | |
![]() | CRCW08057R32FNEB | RES SMD 7.32 OHM 1% 1/8W 0805 | CRCW08057R32FNEB.pdf | |
![]() | 25J1R0E | RES 1 OHM 5W 5% AXIAL | 25J1R0E.pdf | |
![]() | 55100-2M-04-A | Magnetic Hall Effect Switch Magnet, South Pole Current Wire Leads Module | 55100-2M-04-A.pdf | |
![]() | P51-100-A-Y-M12-4.5V-000-000 | Pressure Sensor 100 PSI (689.48 kPa) Absolute Female - 7/16" (11.11mm) UNF 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P51-100-A-Y-M12-4.5V-000-000.pdf |