창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-EM6J1T2R | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | EM6J1 | |
제품 교육 모듈 | MOSFETs | |
주요제품 | MOSFET ECOMOS | |
카탈로그 페이지 | 1634 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Rohm Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 2 P-Chan(이중) | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 200mA | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.2옴 @ 200mA, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 100µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 1.4nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 115pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 150mW | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOT-563, SOT-666 | |
공급 장치 패키지 | EMT6 | |
표준 포장 | 8,000 | |
다른 이름 | EM6J1T2RTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | EM6J1T2R | |
관련 링크 | EM6J, EM6J1T2R Datasheet, Rohm Semiconductor Distributor |
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![]() | SIT8008BI-71-33E-99.533000D | OSC XO 3.3V 99.533MHZ OE | SIT8008BI-71-33E-99.533000D.pdf | |
![]() | DB3X313K0L | DIODE SCHOTTKY 30V 200MA MINI3 | DB3X313K0L.pdf | |
![]() | PZU13B3A,115 | DIODE ZENER 13V 320MW SOD323 | PZU13B3A,115.pdf | |
![]() | POE7W3X3.3-R | XFRMF 100UH 7A 0.10A POE/PD | POE7W3X3.3-R.pdf | |
![]() | PT0402JR-070R47L | RES SMD 0.47 OHM 5% 1/16W 0402 | PT0402JR-070R47L.pdf | |
![]() | 805M1-0020 | Accelerometer Z Axis ±20g 0.4Hz ~ 10kHz TO-5-3 | 805M1-0020.pdf |