Rohm Semiconductor EMA3T2R
- 제조업체 부품 번호
- EMA3T2R
- 제조업 자
- Rohm Semiconductor
- 제품 카테고리
- 트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드
- 간단한 설명
- TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
EMA3T2R 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 79.83925
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of EMA3T2R, we specialize in all series Rohm Semiconductor electronic components. EMA3T2R can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for EMA3T2R, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- EMA3T2R 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
EMA3T2R 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-EMA3T2R | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | EMA3, UMA3N, FMA3A | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드 | |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
| 트랜지스터 유형 | 2 PNP - 사전 바이어스됨(이중)(에미터 결합) | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 100mA | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
| 저항기 - 베이스(R1)(옴) | 4.7k | |
| 저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴) | - | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 100 @ 1mA, 5V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 500nA(ICBO) | |
| 주파수 - 트랜지션 | 250MHz | |
| 전력 - 최대 | 150mW | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 6-SMD(5리드), 평면 리드 | |
| 공급 장치 패키지 | EMT5 | |
| 표준 포장 | 8,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | EMA3T2R | |
| 관련 링크 | EMA, EMA3T2R Datasheet, Rohm Semiconductor Distributor | |
EMA3T2R 의 관련 제품
 | 25TLV470M10X10.5 | 470µF 25V Aluminum Capacitors Radial, Can - SMD 5000 Hrs @ 105°C | 25TLV470M10X10.5.pdf | |
 | VJ1808A390JBHAT4X | 39pF 3000V(3kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1808(4520 미터법) 0.186" L x 0.080" W(4.72mm x 2.03mm) | VJ1808A390JBHAT4X.pdf | |
 | BFC2373FM105MI | 1µF Film Capacitor 100V 400V Polyester, Metallized Radial 1.024" L x 0.276" W (26.00mm x 7.00mm) | BFC2373FM105MI.pdf | |
 | SZMMBZ15VAWT1G | TVS DIODE 12VWM 21VC SC703 | SZMMBZ15VAWT1G.pdf | |
 | 406I35E11M05920 | 11.0592MHz ±30ppm 수정 20pF 60옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 406I35E11M05920.pdf | |
| SIT5001AI-8E-33N0-70.656000Y | OSC XO 3.3V 70.656MHZ NC | SIT5001AI-8E-33N0-70.656000Y.pdf | |
 | CW252016-56NJ | 56nH Unshielded Wirewound Inductor 600mA 180 mOhm Max 1008 (2520 Metric) | CW252016-56NJ.pdf | |
 | CRCW121082K0JNEA | RES SMD 82K OHM 5% 1/2W 1210 | CRCW121082K0JNEA.pdf | |
| RN73C2A4K7BTD | RES SMD 4.7K OHM 0.1% 1/10W 0805 | RN73C2A4K7BTD.pdf | |
 | CMF555K7600FKR670 | RES 5.76K OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF555K7600FKR670.pdf | |
| CMF6049R900FEEA | RES 49.9 OHM 1W 1% AXIAL | CMF6049R900FEEA.pdf | |
| CMF555K1100FEEK | RES 5.11K OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF555K1100FEEK.pdf |
