ON Semiconductor EMF18XV6T5G

EMF18XV6T5G
제조업체 부품 번호
EMF18XV6T5G
제조업 자
제품 카테고리
트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드
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TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT563
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내부 부품 번호EIS-EMF18XV6T5G
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서EMF18XV6T5
PCN 설계/사양Wire Bond 01/Dec/2010
PCN 조립/원산지Qualification Assembly/Test Site 25/Sep/2014
Wafer Source Addition 26/Nov/2014
종류이산 소자 반도체 제품
제품군트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드
제조업체ON Semiconductor
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
트랜지스터 유형1 NPN 사전 바이어싱, 1 PNP
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)100mA
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)50V, 60V
저항기 - 베이스(R1)(옴)47k
저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴)47k
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce80 @ 5mA, 10V / 120 @ 1mA, 6V
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic250mV @ 300µA, 10mA / 500mV @ 5mA, 50mA
전류 - 콜렉터 차단(최대)500nA
주파수 - 트랜지션140MHz
전력 - 최대500mW
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스SOT-563, SOT-666
공급 장치 패키지SOT-563
표준 포장 8,000
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)EMF18XV6T5G
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