EPC EPC2001C

EPC2001C
제조업체 부품 번호
EPC2001C
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
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TRANS GAN 100V 36A BUMPED DIE
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내부 부품 번호EIS-EPC2001C
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서EPC2001C Datasheet
주요제품EPC Low Voltage eGaN® FETs
PCN 설계/사양Mfg Process Update 29/Mar/2016
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체EPC
계열eGaN®
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형GaNFET N-Chan, 갈륨 질화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)100V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C36A(Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs7m옴 @ 25A, 5V
Id 기준 Vgs(th)(최대)2.5V @ 5mA
게이트 전하(Qg) @ Vgs9nC(5V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds900pF @ 50V
전력 - 최대-
작동 온도-40°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스다이
공급 장치 패키지다이 아웃라인(11-솔더 바)
표준 포장 2,500
다른 이름917-1079-2
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)EPC2001C
관련 링크EPC2, EPC2001C Datasheet, EPC Distributor
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