창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-EPC2015 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | EPC2015 Datasheet | |
애플리케이션 노트 | Second Generation eGaN® FETs Assembling eGaN® FETs Using eGaN® FETs | |
제품 교육 모듈 | eGaN FET Reliability Second Gen Lead Free eGaN FETs Overview Paralleling eGaN® FETs Driving eGaN FETs with LM5113 | |
비디오 파일 | EPC eGaN FETs -- Another Geek Moment | DigiKey | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | Lead Free/RoHS Statement | |
주요제품 | eGaN™ FETs Demo Board EPC9101 EPC Low Voltage eGaN® FETs | |
참조 설계 라이브러리 | EPC9107: 3.3V @ 15A, 9 ~ 28V in | |
PCN 설계/사양 | EPC20xx Material 10/Apr/2013 | |
PCN 조립/원산지 | EPC2yyy Family Process Change 12/Dec/2013 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | EPC | |
계열 | eGaN® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | GaNFET N-Chan, 갈륨 질화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 33A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4m옴 @ 33A, 5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 9mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 11.6nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1200pF @ 20V | |
전력 - 최대 | - | |
작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 다이 | |
공급 장치 패키지 | 다이 아웃라인(11-솔더 바) | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | 917-1019-2 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | EPC2015 | |
관련 링크 | EPC, EPC2015 Datasheet, EPC Distributor |
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![]() | K121J15C0GK53L2 | 120pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.157" L x 0.098" W(4.00mm x 2.50mm) | K121J15C0GK53L2.pdf | |
![]() | RHEL81H104K1A2A03B | 0.10µF 50V 세라믹 커패시터 X8L 방사 0.157" L x 0.124" W(4.00mm x 3.15mm) | RHEL81H104K1A2A03B.pdf | |
![]() | B57211P160M301 | ICL 16 OHM 20% 3A 13MM | B57211P160M301.pdf | |
![]() | ABM8G-25.000MHZ-4Y-T3 | 25MHz ±30ppm 수정 10pF 60옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | ABM8G-25.000MHZ-4Y-T3.pdf | |
![]() | ABM11AIG-32.000MHZ-4-T3 | 32MHz ±30ppm 수정 10pF 80옴 -40°C ~ 125°C AEC-Q200 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | ABM11AIG-32.000MHZ-4-T3.pdf | |
![]() | 416F37423AAR | 37.4MHz ±20ppm 수정 10pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F37423AAR.pdf | |
![]() | PM3340-681M-RC | 680µH Unshielded Wirewound Inductor 200mA 1.2 Ohm Max Nonstandard | PM3340-681M-RC.pdf | |
![]() | HSA501R0J | RES CHAS MNT 1 OHM 5% 50W | HSA501R0J.pdf | |
![]() | RG1005V-6490-W-T5 | RES SMD 649 OHM 0.05% 1/16W 0402 | RG1005V-6490-W-T5.pdf | |
![]() | CMF6035K700CEBF | RES 35.7K OHM 1W .25% AXIAL | CMF6035K700CEBF.pdf | |
SEN-11308 | ULTRASONIC RANGE FINDER - HRLV-M | SEN-11308.pdf |