EPC EPC2016C

EPC2016C
제조업체 부품 번호
EPC2016C
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
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TRANS GAN 100V 18A BUMPED DIE
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내부 부품 번호EIS-EPC2016C
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서EPC2016C
애플리케이션 노트Assembling eGaN® FETs
Die Attach Procedure
Die Removal Procedure
Using eGaN® FETs
주요제품EPC Low Voltage eGaN® FETs
참조 설계 라이브러리EPC9106: 250W(x2) @ 4O, ± 27V in, Class D
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체EPC
계열eGaN®
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형GaNFET N-Chan, 갈륨 질화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)100V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C18A(Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs16m옴 @ 11A, 5V
Id 기준 Vgs(th)(최대)2.5V @ 3mA
게이트 전하(Qg) @ Vgs4.5nC(5V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds420pF @ 50V
전력 - 최대-
작동 온도-40°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스다이
공급 장치 패키지다이
표준 포장 2,500
다른 이름917-1080-2
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)EPC2016C
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