창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-EPC2019 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | EPC2019 Datasheet | |
애플리케이션 노트 | Assembling eGaN® FETs Die Attach Procedure Die Removal Procedure Using eGaN® FETs | |
주요제품 | EPC9052/53/54 Development Boards | |
PCN 설계/사양 | Mfg Process Update 29/Mar/2016 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | EPC | |
계열 | eGaN® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | GaNFET N-Chan, 갈륨 질화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 8.5A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 50m옴 @ 7A, 5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 1.5mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 2.5nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 270pF @ 100V | |
전력 - 최대 | - | |
작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 다이 | |
공급 장치 패키지 | 다이 | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | 917-1087-2 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | EPC2019 | |
관련 링크 | EPC, EPC2019 Datasheet, EPC Distributor |
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![]() | SR405A683JAR | 0.068µF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.400" L x 0.150" W(10.16mm x 3.81mm) | SR405A683JAR.pdf | |
![]() | BAL99-G3-08 | DIODE GEN PURP 70V 250MA SOT23 | BAL99-G3-08.pdf | |
![]() | MLG0402P1N6BT000 | 1.6nH Unshielded Multilayer Inductor 220mA 600 mOhm Max 01005 (0402 Metric) | MLG0402P1N6BT000.pdf | |
![]() | RCH664NP-1R3M | 1.3µH Unshielded Wirewound Inductor 3.7A 20.6 mOhm Max Radial | RCH664NP-1R3M.pdf | |
![]() | AA0402FR-0713KL | RES SMD 13K OHM 1% 1/16W 0402 | AA0402FR-0713KL.pdf | |
![]() | AA0402FR-07357RL | RES SMD 357 OHM 1% 1/16W 0402 | AA0402FR-07357RL.pdf | |
![]() | PT0402FR-7W0R56L | RES SMD 0.56 OHM 1% 1/8W 0402 | PT0402FR-7W0R56L.pdf | |
![]() | RC1218DK-07620KL | RES SMD 620K OHM 1W 1812 WIDE | RC1218DK-07620KL.pdf | |
![]() | PLT1206Z1891LBTS | RES SMD 1.89KOHM 0.01% 0.4W 1206 | PLT1206Z1891LBTS.pdf | |
![]() | HEDS-5540#C01 | ENCODER KIT 3CH 100CPR 2MM | HEDS-5540#C01.pdf |