창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-EPC2021ENG | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | EPC2021 Datasheet Preliminary | |
애플리케이션 노트 | Fourth Generation eGaN® FETs Assembling eGaN® FETs Die Attach Procedure Die Removal Procedure Using eGaN® FETs | |
제품 교육 모듈 | eGaN-based Eighth Brick Converter | |
주요제품 | Gen 4 eGaN FETs | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | EPC | |
계열 | eGaN® | |
포장 | 트레이 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | GaNFET N-Chan, 갈륨 질화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 80V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 60A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.5m옴 @ 29A, 5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 14mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 15nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1700pF @ 40V | |
전력 - 최대 | - | |
작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 다이 | |
공급 장치 패키지 | 다이 | |
표준 포장 | 10 | |
다른 이름 | 917-EPC2021ENG EPC2021ENGRB3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | EPC2021ENG | |
관련 링크 | EPC20, EPC2021ENG Datasheet, EPC Distributor |
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![]() | ABM11-143-27.120MHZ-T3 | 27.12MHz ±10ppm 수정 8pF 40옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | ABM11-143-27.120MHZ-T3.pdf | |
![]() | NSBC143EDP6T5G | TRANS 2NPN PREBIAS 0.339W SOT963 | NSBC143EDP6T5G.pdf | |
![]() | D3042 | Telecom Relay DPDT (2 Form C) Through Hole | D3042.pdf | |
![]() | ERA-2ARC5361X | RES SMD 5.36K OHM 1/16W 0402 | ERA-2ARC5361X.pdf | |
![]() | RV1206JR-0715KL | RES SMD 15K OHM 5% 1/4W 1206 | RV1206JR-0715KL.pdf | |
![]() | RNCF0402BKE100K | RES SMD 100K OHM 0.1% 1/16W 0402 | RNCF0402BKE100K.pdf | |
![]() | CSR1206FK36L0 | RES SMD 0.036 OHM 1% 1/2W 1206 | CSR1206FK36L0.pdf | |
![]() | RT1206CRB07499KL | RES SMD 499K OHM 0.25% 1/4W 1206 | RT1206CRB07499KL.pdf | |
![]() | CRCW08054K70FKEB | RES SMD 4.7K OHM 1% 1/8W 0805 | CRCW08054K70FKEB.pdf | |
![]() | RNF14FTD274K | RES 274K OHM 1/4W 1% AXIAL | RNF14FTD274K.pdf |