창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-EPC2022ENGRT | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | EPC2022 Datasheet Preliminary | |
애플리케이션 노트 | Fourth Generation eGaN® FETs Assembling eGaN® FETs Die Attach Procedure Die Removal Procedure Using eGaN® FETs | |
제품 교육 모듈 | eGaN-based Eighth Brick Converter | |
주요제품 | Gen 4 eGaN FETs | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | EPC | |
계열 | eGaN® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | GaNFET N-Chan, 갈륨 질화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 90A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.2m옴 @ 25A, 5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 12mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 13nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1400pF @ 50V | |
전력 - 최대 | - | |
작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 다이 | |
공급 장치 패키지 | 다이 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | 917-1140-2 917-1140-2-ND 917-EPC2022ENGRTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | EPC2022ENGRT | |
관련 링크 | EPC202, EPC2022ENGRT Datasheet, EPC Distributor |
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![]() | AC0402JR-0710KL | RES SMD 10K OHM 5% 1/16W 0402 | AC0402JR-0710KL.pdf | |
![]() | RT1210BRE078R2L | RES SMD 8.2 OHM 0.1% 1/4W 1210 | RT1210BRE078R2L.pdf | |
![]() | HRG3216P-2491-B-T1 | RES SMD 2.49K OHM 0.1% 1W 1206 | HRG3216P-2491-B-T1.pdf | |
![]() | RNF12FTD46R4 | RES 46.4 OHM 1/2W 1% AXIAL | RNF12FTD46R4.pdf | |
![]() | ROX1SF3K0 | RES 3K OHM 1W 1% AXIAL | ROX1SF3K0.pdf | |
![]() | CMF554M7000FHEB | RES 4.7M OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF554M7000FHEB.pdf |