창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-EPC2033ENGRT | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | EPC2033 Datasheet Preliminary~ | |
애플리케이션 노트 | Assembling eGaN® FETs Die Attach Procedure Die Removal Procedure Using eGaN® FETs | |
주요제품 | EPC2033/EPC2034 150 V and 200 V eGaN FETs | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | EPC | |
계열 | eGaN® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | GaNFET N-Chan, 갈륨 질화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 150V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 31A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 7m옴 @ 25A, 5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 9mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 10nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1140pF @ 75V | |
전력 - 최대 | - | |
작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 다이 | |
공급 장치 패키지 | 다이 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | 917-1141-2 917-1141-2-ND 917-EPC2033ENGRTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | EPC2033ENGRT | |
관련 링크 | EPC203, EPC2033ENGRT Datasheet, EPC Distributor |
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![]() | C0402C0G1C100E | 10pF 16V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 01005(0402 미터법) 0.016" L x 0.008" W(0.40mm x 0.20mm) | C0402C0G1C100E.pdf | |
P4KE36A-G | TVS DIODE 30.8VWM 49.9VC DO41 | P4KE36A-G.pdf | ||
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![]() | P1330-104K | 100µH Unshielded Inductor 347mA 1.68 Ohm Max Nonstandard | P1330-104K.pdf | |
![]() | AT1206CRD07221KL | RES SMD 221K OHM 0.25% 1/4W 1206 | AT1206CRD07221KL.pdf | |
![]() | TNPW040268K1BETD | RES SMD 68.1KOHM 0.1% 1/16W 0402 | TNPW040268K1BETD.pdf | |
![]() | CRCW04021K10FHEDP | RES SMD 1.1K OHM 1% 1/16W 0402 | CRCW04021K10FHEDP.pdf | |
![]() | CB7JBR820 | RES .82 OHM 7W 5% CERAMIC WW | CB7JBR820.pdf | |
![]() | 1933430-1 | CONN SENSOR STRIP 24PORT | 1933430-1.pdf |