창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-EPC2040ENGRT | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | EPC2040 Preliminary~ | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | EPC | |
계열 | eGaN® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | GaNFET N-Chan, 갈륨 질화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 15V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3.4A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 28m옴 @ 1.5A, 5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 0.93nC @ 5V | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 100pF @ 6V | |
전력 - 최대 | - | |
작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 다이 | |
공급 장치 패키지 | 다이 | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | 917-1139-2 917-1139-2-ND 917-EPC2040ENGRTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | EPC2040ENGRT | |
관련 링크 | EPC204, EPC2040ENGRT Datasheet, EPC Distributor |
![]() | 445A25J24M00000 | 24MHz ±20ppm 수정 9pF 40옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445A25J24M00000.pdf | |
![]() | 445W22F24M57600 | 24.576MHz ±20ppm 수정 24pF 40옴 0°C ~ 50°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445W22F24M57600.pdf | |
![]() | FXO-HC736-45.5 | 45.5MHz HCMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V 35mA Enable/Disable | FXO-HC736-45.5.pdf | |
![]() | MRFE6VP61K25GNR6 | TRANS RF LDMOS 1250W 50V | MRFE6VP61K25GNR6.pdf | |
![]() | CDRH124NP-331MC | 330µH Shielded Inductor 500mA 990 mOhm Max Nonstandard | CDRH124NP-331MC.pdf | |
![]() | RC0805JR-074R3L | RES SMD 4.3 OHM 5% 1/8W 0805 | RC0805JR-074R3L.pdf | |
![]() | RE0805FRE07909RL | RES SMD 909 OHM 1% 1/8W 0805 | RE0805FRE07909RL.pdf | |
![]() | MCR18EZPF5603 | RES SMD 560K OHM 1% 1/4W 1206 | MCR18EZPF5603.pdf | |
![]() | CRCW201010M0FKTF | RES SMD 10M OHM 1% 3/4W 2010 | CRCW201010M0FKTF.pdf | |
![]() | RG3216V-2402-B-T5 | RES SMD 24K OHM 0.1% 1/4W 1206 | RG3216V-2402-B-T5.pdf | |
![]() | CPL10R0700FB31 | RES 0.07 OHM 10W 1% AXIAL | CPL10R0700FB31.pdf | |
![]() | AH173-PL-A-B | IC HALL SENSOR LATCH 25MA SIP-3L | AH173-PL-A-B.pdf |