EPC EPC2100ENG
EPC2100ENG 가격 및 조달
가능 수량
1320 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 6,906.55680
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of EPC2100ENG, we specialize in all series EPC electronic components. EPC2100ENG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for EPC2100ENG, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- EPC2100ENG 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
EPC2100ENG 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-EPC2100ENG | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | EPC2100 Preliminary Datasheet~ EPC2106 Preliminary | |
| 애플리케이션 노트 | GaN Integration for Higher DC-DC Efficiency and Power Density | |
| 제품 교육 모듈 | eGaN® Integrated GaN Power | |
| 주요제품 | EPC2100 Transistors and EPC9036 Dev Board EPC - EPC9037/EPC9041 Development Boards | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | EPC | |
| 계열 | eGaN® | |
| 포장 | 트레이 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 2 N 채널(하프브리지) | |
| FET 특징 | GaNFET(질화 갈륨) | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 9.5A, 38A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 8m옴 @ 25A, 5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 4mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 3.5nC @ 15V | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 380pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | - | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 다이 | |
| 공급 장치 패키지 | 다이 | |
| 표준 포장 | 10 | |
| 다른 이름 | 917-EPC2100ENG EPC2100ENGR_H1 EPC2100ENGRH1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | EPC2100ENG | |
| 관련 링크 | EPC21, EPC2100ENG Datasheet, EPC Distributor | |
EPC2100ENG 의 관련 제품
 | 885012008049 | 1000pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | 885012008049.pdf | |
 | CS11ZU2GA472MYNKA | 4700pF 300VAC 세라믹 커패시터 Z5U 방사형, 디스크 0.531" Dia(13.50mm) | CS11ZU2GA472MYNKA.pdf | |
 | W1X223MCVCP0KR | 0.022µF 275VAC 세라믹 커패시터 방사형, 디스크 0.787" Dia(20.00mm) | W1X223MCVCP0KR.pdf | |
| ECW-H12303RHV | 0.03µF Film Capacitor 1250V (1.25kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.906" L x 0.374" W (23.00mm x 9.50mm) | ECW-H12303RHV.pdf | |
| FA-238 18.7500MB50X-K5 | 18.75MHz ±50ppm 수정 10pF 80옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | FA-238 18.7500MB50X-K5.pdf | |
| IRF6802SDTRPBF | MOSFET 2N-CH 25V 16A SA | IRF6802SDTRPBF.pdf | |
| IDCP3020ER270M | 27µH Unshielded Wirewound Inductor 1.3A 120 mOhm Max Nonstandard | IDCP3020ER270M.pdf | |
 | G5CA-1A4 DC9 | General Purpose Relay SPST-NO (1 Form A) 9VDC Coil Through Hole | G5CA-1A4 DC9.pdf | |
 | RG1005P-103-B-T5 | RES SMD 10K OHM 0.1% 1/16W 0402 | RG1005P-103-B-T5.pdf | |
 | CRCW251226R7FKEG | RES SMD 26.7 OHM 1% 1W 2512 | CRCW251226R7FKEG.pdf | |
| CRCW25121K00JNEH | RES SMD 1K OHM 5% 1W 2512 | CRCW25121K00JNEH.pdf | |
 | MAX6680MEE+T | SENSOR TEMP I2C/SMBUS 16QSOP | MAX6680MEE+T.pdf |
