EPC EPC2105ENG

EPC2105ENG
제조업체 부품 번호
EPC2105ENG
제조업 자
제품 카테고리
FET - 어레이
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TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE
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내부 부품 번호EIS-EPC2105ENG
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서EPC2105 Preliminary~
애플리케이션 노트GaN Integration for Higher DC-DC Efficiency and Power Density
제품 교육 모듈eGaN® Integrated GaN Power
주요제품EPC - EPC9037/EPC9041 Development Boards
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 어레이
제조업체EPC
계열eGaN®
포장벌크
부품 현황유효
FET 유형2 N 채널(하프브리지)
FET 특징GaNFET(질화 갈륨)
드레인 - 소스 전압(Vdss)80V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C9.5A, 38A
Rds On(최대) @ Id, Vgs14.5m옴 @ 20A, 5V
Id 기준 Vgs(th)(최대)2.5V @ 2.5mA
게이트 전하(Qg) @ Vgs2.5nC(5V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds300pF @ 40V
전력 - 최대-
작동 온도-40°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스다이
공급 장치 패키지다이
표준 포장 10
다른 이름 EPC2105ENGR
917-EPC2105ENG
EPC2105ENGR
EPC2105ENGRH4
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)EPC2105ENG
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