EPC EPC2110ENGRT

EPC2110ENGRT
제조업체 부품 번호
EPC2110ENGRT
제조업 자
제품 카테고리
FET - 어레이
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TRANS GAN 2N-CH 120V BUMPED DIE
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내부 부품 번호EIS-EPC2110ENGRT
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서EPC2110 Preliminary Datasheet
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 어레이
제조업체EPC
계열eGaN®
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형2 N 채널(이중) 공통 드레인
FET 특징GaNFET(질화 갈륨)
드레인 - 소스 전압(Vdss)120V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C3.4A
Rds On(최대) @ Id, Vgs60m옴 @ 4A, 5V
Id 기준 Vgs(th)(최대)2.5V @ 700µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs0.8nC(5V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds80pF @ 60V
전력 - 최대-
작동 온도-40°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스다이
공급 장치 패키지다이
표준 포장 1,000
다른 이름917-EPC2110ENGRTR
EPC2110ENGR
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)EPC2110ENGRT
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