창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-EPC8002 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | eGaN® FET Brief EPC8002 Datasheet | |
애플리케이션 노트 | eGaN FETs for Multi-Megahertz Hard Switching Applications Assembling eGaN® FETs Die Attach Procedure Die Removal Procedure | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | EPC | |
계열 | eGaN® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | GaNFET N-Chan, 갈륨 질화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 65V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 530m옴 @ 500mA, 5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 21pF @ 32.5V | |
전력 - 최대 | - | |
작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 다이 | |
공급 장치 패키지 | 다이 | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | 917-1118-2 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | EPC8002 | |
관련 링크 | EPC, EPC8002 Datasheet, EPC Distributor |
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MP2A-4R7-R | 4.7µH Unshielded Wirewound Inductor 1.6A 117 mOhm Nonstandard | MP2A-4R7-R.pdf | ||
![]() | 103R-152JS | 1.5µH Unshielded Inductor 340mA 840 mOhm Max 2-SMD | 103R-152JS.pdf | |
![]() | RC2012F151CS | RES SMD 150 OHM 1% 1/8W 0805 | RC2012F151CS.pdf | |
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![]() | ERJ-PA3F4640V | RES SMD 464 OHM 1% 1/4W 0603 | ERJ-PA3F4640V.pdf | |
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![]() | RG2012N-823-W-T5 | RES SMD 82K OHM 0.05% 1/8W 0805 | RG2012N-823-W-T5.pdf | |
![]() | RCP2512W68R0GET | RES SMD 68 OHM 2% 22W 2512 | RCP2512W68R0GET.pdf | |
![]() | Y007899K0000F0L | RES 99K OHM .3W 1% RADIAL | Y007899K0000F0L.pdf |