창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-ERZ-E11A112CS | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | ZNR Series E, Type D Datasheet | |
주요제품 | ERZ-E Series ZNR® Transient/Surge Absorbers Hot New Technologies | |
종류 | 회로 보호 | |
제품군 | TVS - 배리스터, MOV | |
제조업체 | Panasonic Electronic Components | |
계열 | ZNR® | |
포장 | 벌크 | |
배리스터 전압 | 990V | |
배리스터 전압(통상) | 1100V(1.1kV) | |
배리스터 전압(최대) | 1210V(1.21kV) | |
전류 - 서지 | 5kA | |
회로 개수 | 1 | |
최대 AC 전압 | 680VAC | |
최대 DC 전압 | 895VDC | |
에너지 | 310J | |
패키지/케이스 | 13mm 디스크 | |
실장 유형 | 스루홀 | |
표준 포장 | 2,000 | |
다른 이름 | ERZE11A112CS | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | ERZ-E11A112CS | |
관련 링크 | ERZ-E1, ERZ-E11A112CS Datasheet, Panasonic Electronic Components Distributor |
CDS15FC561JO3 | MICA | CDS15FC561JO3.pdf | ||
P6KE150CA-TP | TVS DIODE 128VWM 207VC DO15 | P6KE150CA-TP.pdf | ||
416F26023IKT | 26MHz ±20ppm 수정 8pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F26023IKT.pdf | ||
SIT1618BE-32-33E-27.000000Y | OSC XO 3.3V 27MHZ OE | SIT1618BE-32-33E-27.000000Y.pdf | ||
VS-30CTQ080STRL-M3 | DIODE SCHOTTKY 80V 15A D2PAK | VS-30CTQ080STRL-M3.pdf | ||
HSMP-3832-TR1G | DIODE PIN GP 200V SOT-23 | HSMP-3832-TR1G.pdf | ||
TDZ4V7J,115 | DIODE ZENER 4.7V 500MW SOD323F | TDZ4V7J,115.pdf | ||
APTM100UM60FAG | MOSFET N-CH 1000V 129A SP6 | APTM100UM60FAG.pdf | ||
PF0560.103NL | 10µH Shielded Wirewound Inductor 3.8A 35 mOhm Max Nonstandard | PF0560.103NL.pdf | ||
RNCF0603BKC100K | RES SMD 100K OHM 0.1% 1/10W 0603 | RNCF0603BKC100K.pdf | ||
RG1608N-6340-W-T1 | RES SMD 634 OHM 0.05% 1/10W 0603 | RG1608N-6340-W-T1.pdf | ||
CMF55400R00FKEB | RES 400 OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF55400R00FKEB.pdf |