창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-ERZ-V10D101 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | ERZ-V10D101 View All Specifications | |
제품 교육 모듈 | ZNR® Surge Absorbers | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 2348 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 회로 보호 | |
제품군 | TVS - 배리스터, MOV | |
제조업체 | Panasonic Electronic Components | |
계열 | ZNR® | |
포장 | 벌크 | |
배리스터 전압 | 90V | |
배리스터 전압(통상) | 100V | |
배리스터 전압(최대) | 110V | |
전류 - 서지 | 3.5kA | |
회로 개수 | 1 | |
최대 AC 전압 | 60VAC | |
최대 DC 전압 | 85VDC | |
에너지 | 17J | |
패키지/케이스 | 10mm 디스크 | |
실장 유형 | 스루홀 | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | ERZV10D101 P7252 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | ERZ-V10D101 | |
관련 링크 | ERZ-V, ERZ-V10D101 Datasheet, Panasonic Electronic Components Distributor |
![]() | C4532X7T2J224K200KE | 0.22µF 630V 세라믹 커패시터 X7T 1812(4532 미터법) 0.177" L x 0.126" W(4.50mm x 3.20mm) | C4532X7T2J224K200KE.pdf | |
564R30GAT50 | 500pF 3000V(3kV) 세라믹 커패시터 방사형, 디스크 | 564R30GAT50.pdf | ||
![]() | QYX1H334KTP | 0.33µF Film Capacitor 50V Polyester Radial 0.492" L x 0.315" W (12.50mm x 8.00mm) | QYX1H334KTP.pdf | |
![]() | SMLJ18E3/TR13 | TVS DIODE 18VWM 32.2VC SMCJ | SMLJ18E3/TR13.pdf | |
![]() | RB168MM-40TR | DIODE SCHOTTKY 40V 1A PMDU | RB168MM-40TR.pdf | |
![]() | BSC052N03LS | MOSFET N-CH 30V 17A TDSON-8 | BSC052N03LS.pdf | |
![]() | S0402-68NG1D | 68nH Unshielded Wirewound Inductor 100mA 1.18 Ohm Max 0402 (1005 Metric) | S0402-68NG1D.pdf | |
![]() | RSE116690 | LOW PROFILE, 2 POLE/10 AMP, LC | RSE116690.pdf | |
![]() | RC0603FR-074K64L | RES SMD 4.64K OHM 1% 1/10W 0603 | RC0603FR-074K64L.pdf | |
![]() | RC2010FK-071M6L | RES SMD 1.6M OHM 1% 3/4W 2010 | RC2010FK-071M6L.pdf | |
![]() | PE2512FKF7W0R022L | RES SMD 0.022 OHM 1% 2W 2512 | PE2512FKF7W0R022L.pdf | |
![]() | RSF1JB2K20 | RES MO 1W 2.2K OHM 5% AXIAL | RSF1JB2K20.pdf |