창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-F3SJ-E0225P25 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | F3SJ-E Datasheet | |
종류 | 센서, 트랜스듀서 | |
제품군 | 광 센서 - 광전, 산업용 | |
제조업체 | Omron Automation and Safety | |
계열 | * | |
부품 현황 | * | |
표준 포장 | 1 | |
다른 이름 | F3SJE0225P25 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | F3SJ-E0225P25 | |
관련 링크 | F3SJ-E, F3SJ-E0225P25 Datasheet, Omron Automation and Safety Distributor |
GRM32ER70J476ME20L | 47µF 6.3V 세라믹 커패시터 X7R 1210(3225 미터법) 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) | GRM32ER70J476ME20L.pdf | ||
CLLE1AX7R1A104M050AC | 0.10µF 10V 세라믹 커패시터 X7R 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | CLLE1AX7R1A104M050AC.pdf | ||
GRM1556S1H9R7CZ01D | 9.7pF 50V 세라믹 커패시터 S2H 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | GRM1556S1H9R7CZ01D.pdf | ||
406I35E14M31818 | 14.31818MHz ±30ppm 수정 20pF 60옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 406I35E14M31818.pdf | ||
DOC020V-010.0M | 10MHz LVCMOS VCOCXO Oscillator Surface Mount 3.3V | DOC020V-010.0M.pdf | ||
AISC-1008F-2R7J-T | 2.7µH Unshielded Wirewound Inductor 490mA 1.3 Ohm Max 1008 (2520 Metric) | AISC-1008F-2R7J-T.pdf | ||
PE-0402CH2N4STT | 2.4nH Unshielded Multilayer Inductor 630mA 90 mOhm Max Nonstandard | PE-0402CH2N4STT.pdf | ||
IMC1008ER1R0J | 1µH Unshielded Wirewound Inductor 120mA 3.3 Ohm Max 1008 (2520 Metric) | IMC1008ER1R0J.pdf | ||
MCR18ERTF2430 | RES SMD 243 OHM 1% 1/4W 1206 | MCR18ERTF2430.pdf | ||
AA0201FR-0744K2L | RES SMD 44.2K OHM 1% 1/20W 0201 | AA0201FR-0744K2L.pdf | ||
H818K7DZA | RES 18.7K OHM 1/4W 0.5% AXIAL | H818K7DZA.pdf | ||
TOP243FN | Converter Offline Flyback Topology 66kHz ~ 132kHz TO-262-7C | TOP243FN.pdf |