창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FCA35N60 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | FCA35N60 | |
PCN 설계/사양 | Heat Sink Drawing Update 11/Feb/2014 | |
PCN 조립/원산지 | Wafer Fabrication 04/Feb/2013 | |
카탈로그 페이지 | 1602 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | SuperFET™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 35A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 98m옴 @ 17.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 181nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 6640pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 312.5W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-3P-3, SC-65-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-3PN | |
표준 포장 | 30 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | FCA35N60 | |
관련 링크 | FCA3, FCA35N60 Datasheet, Fairchild Semiconductor Distributor |
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![]() | AQ12EA1R4CAJME\500 | 1.4pF 150V 세라믹 커패시터 A 0606(1616 미터법) 0.055" L x 0.055" W(1.40mm x 1.40mm) | AQ12EA1R4CAJME\500.pdf | |
![]() | AISC-1008-1R8G-T | 1.8µH Unshielded Wirewound Inductor 300mA 2.6 Ohm Max 1008 (2520 Metric) | AISC-1008-1R8G-T.pdf | |
![]() | CRGH0603F357K | RES SMD 357K OHM 1% 1/5W 0603 | CRGH0603F357K.pdf | |
![]() | RT2010FKE0739R2L | RES SMD 39.2 OHM 1% 1/2W 2010 | RT2010FKE0739R2L.pdf | |
![]() | CRCW0805470RJNEC | RES SMD 470 OHM 5% 1/8W 0805 | CRCW0805470RJNEC.pdf | |
![]() | G24071933309J7B000 | RES 33 OHM 5% WW | G24071933309J7B000.pdf | |
![]() | LR1F51R1 | RES 51.1 OHM 0.6W 1% AXIAL | LR1F51R1.pdf | |
![]() | Y00893K00000BP23R | RES 3K OHM 0.6W 0.1% RADIAL | Y00893K00000BP23R.pdf | |
![]() | Y011110R0000B0L | RES 10 OHM 2.5W 0.1% AXIAL | Y011110R0000B0L.pdf | |
![]() | T6613-F | CO2 MODULE 2000PPM FLOW THROUGH | T6613-F.pdf |