Fairchild Semiconductor FCB36N60NTM
- 제조업체 부품 번호
- FCB36N60NTM
- 제조업 자
- Fairchild Semiconductor
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 600V 36A D2PAK
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
FCB36N60NTM 가격 및 조달
가능 수량
2750 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 5,189.18400
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of FCB36N60NTM, we specialize in all series Fairchild Semiconductor electronic components. FCB36N60NTM can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FCB36N60NTM, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- FCB36N60NTM 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
FCB36N60NTM 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-FCB36N60NTM | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | FCB36N60N | |
| PCN 설계/사양 | Description Chg 01/Apr/2016 | |
| PCN 포장 | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | SupreMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 36A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 90m옴 @ 18A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 112nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4785pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 312W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | TO-263(D2Pak) | |
| 표준 포장 | 800 | |
| 다른 이름 | FCB36N60NTM-ND FCB36N60NTMTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | FCB36N60NTM | |
| 관련 링크 | FCB36, FCB36N60NTM Datasheet, Fairchild Semiconductor Distributor | |
FCB36N60NTM 의 관련 제품
 | KMG63VB47RM6X11LL | 47µF 63V Aluminum Capacitors Radial, Can 3.527 Ohm @ 120Hz 1000 Hrs @ 105°C | KMG63VB47RM6X11LL.pdf | |
 | 06033A101JAT2A | 100pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.032" W(1.60mm x 0.81mm) | 06033A101JAT2A.pdf | |
.jpg) | GQM22M5C2H680JB01L | 68pF 500V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1111(2828 미터법) 0.110" L x 0.110" W(2.80mm x 2.80mm) | GQM22M5C2H680JB01L.pdf | |
 | RPER72A473K2S2C03A | 0.047µF 100V 세라믹 커패시터 X7R 방사 0.197" L x 0.124" W(5.00mm x 3.15mm) | RPER72A473K2S2C03A.pdf | |
 | BFC238333393 | 0.039µF Film Capacitor 350V 1000V (1kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.689" L x 0.335" W (17.50mm x 8.50mm) | BFC238333393.pdf | |
 | 595D106X9050D2T | 10µF Conformal Coated Tantalum Capacitors 50V 2917 (7343 Metric) 800 mOhm 0.295" L x 0.169" W (7.50mm x 4.30mm) | 595D106X9050D2T.pdf | |
 | SDF DF220S | TCO 10A 220C AXIAL | SDF DF220S.pdf | |
 | ECS-.327-12.5-34B-TR | 32.768kHz ±20ppm 수정 12.5pF 70k옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | ECS-.327-12.5-34B-TR.pdf | |
-5.00-mm-x-3.20-mm.jpg) | DSC1101BM1-100.0000 | 100MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.6 V 35mA Standby (Power Down) | DSC1101BM1-100.0000.pdf | |
| 105R-221GS | 220nH Unshielded Inductor 675mA 210 mOhm Max 2-SMD | 105R-221GS.pdf | |
 | PAT0805E1151BST1 | RES SMD 1.15K OHM 0.1% 1/5W 0805 | PAT0805E1151BST1.pdf | |
| E2E-C06S02-CJ-C1 0.3M | Inductive Proximity Sensor 0.079" (2mm) IP67 Cylinder | E2E-C06S02-CJ-C1 0.3M.pdf |
