Fairchild Semiconductor FCD380N60E

FCD380N60E
제조업체 부품 번호
FCD380N60E
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
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MOSFET N CH 600V 10.2A DPAK
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내부 부품 번호EIS-FCD380N60E
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서FCD380N60E
주요제품SuperFET® II and SuperFET® II Easy-Drive MOSFETs
Cloud Systems Computing
High-Voltage MOSFETs
PCN 설계/사양Description Chg 01/Apr/2016
PCN 포장Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Fairchild Semiconductor
계열SuperFET® II
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)600V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C10.2A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs380m옴 @ 5A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)3.5V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs45nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds1770pF @ 25V
전력 - 최대106W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63
공급 장치 패키지D-Pak
표준 포장 2,500
다른 이름FCD380N60ETR
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)FCD380N60E
관련 링크FCD38, FCD380N60E Datasheet, Fairchild Semiconductor Distributor
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