Fairchild Semiconductor FCD5N60_F085
,-SC-63.jpg)
- 제조업체 부품 번호
- FCD5N60_F085
- 제조업 자
- Fairchild Semiconductor
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
FCD5N60_F085 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 665.69818
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of FCD5N60_F085, we specialize in all series Fairchild Semiconductor electronic components. FCD5N60_F085 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FCD5N60_F085, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- FCD5N60_F085 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
FCD5N60_F085 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-FCD5N60_F085 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | FCD5N60_F085 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | 자동차, AEC-Q101, SuperFET™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4.6A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.1옴 @ 4.6A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 21nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 570pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 54W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | D-Pak | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | FCD5N60_F085TR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | FCD5N60_F085 | |
| 관련 링크 | FCD5N6, FCD5N60_F085 Datasheet, Fairchild Semiconductor Distributor | |
FCD5N60_F085 의 관련 제품
 | 06035G223ZAT2A | 0.022µF 50V 세라믹 커패시터 Y5V(F) 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.032" W(1.60mm x 0.81mm) | 06035G223ZAT2A.pdf | |
 | VJ0603D201MXAAT | 200pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D201MXAAT.pdf | |
 | C901U221KUYDCAWL20 | 220pF 400VAC 세라믹 커패시터 Y5P(B) 방사형, 디스크 0.276" Dia(7.00mm) | C901U221KUYDCAWL20.pdf | |
-Series-Style-Straight-18x7.jpg) | ECW-FA2J274J4 | 0.27µF Film Capacitor 630V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.717" L x 0.307" W (18.20mm x 7.80mm) | ECW-FA2J274J4.pdf | |
 | 43150 | FUSE 5X20MM 10A 250V FST C | 43150.pdf | |
 | 416F24025AST | 24MHz ±20ppm 수정 시리즈 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F24025AST.pdf | |
 | SP8J65TB1 | MOSFET 2P-CH 30V 7A 8SOIC | SP8J65TB1.pdf | |
| IMC0402ER4N3J01 | 4.3nH Unshielded Wirewound Inductor 700mA 91 mOhm Max 0402 (1005 Metric) | IMC0402ER4N3J01.pdf | |
 | 741X083222JP | RES ARRAY 4 RES 2.2K OHM 0804 | 741X083222JP.pdf | |
 | CMF55105K00DHEK | RES 105K OHM 1/2W .5% AXIAL | CMF55105K00DHEK.pdf | |
| P51-750-A-E-MD-20MA-000-000 | Pressure Sensor 750 PSI (5171.07 kPa) Absolute Male - 3/8" (9.52mm) UNF 4 mA ~ 20 mA Cylinder | P51-750-A-E-MD-20MA-000-000.pdf | |
| P51-100-S-M-I12-4.5V-000-000 | Pressure Sensor 100 PSI (689.48 kPa) Sealed Gauge Male - M10 x 1.0 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P51-100-S-M-I12-4.5V-000-000.pdf |
