Fairchild Semiconductor FCD9N60NTM

FCD9N60NTM
제조업체 부품 번호
FCD9N60NTM
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
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MOSFET N-CH 600V 9A DPAK
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내부 부품 번호EIS-FCD9N60NTM
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서FCD9N60NTM
PCN 설계/사양Description Chg 01/Apr/2016
PCN 포장Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014
카탈로그 페이지 1601 (KR2011-KO PDF)
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Fairchild Semiconductor
계열SupreMOS™
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)600V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C9A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs385m옴 @ 4.5A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)5V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs17.8nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds1000pF @ 100V
전력 - 최대92.6W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63
공급 장치 패키지D-Pak
표준 포장 2,500
다른 이름FCD9N60NTMTR
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)FCD9N60NTM
관련 링크FCD9N, FCD9N60NTM Datasheet, Fairchild Semiconductor Distributor
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