Cornell Dubilier Electronics (CDE) FCN1913A823K-E3

FCN1913A823K-E3
제조업체 부품 번호
FCN1913A823K-E3
제조업 자
제품 카테고리
필름 커패시터
간단한 설명
0.082µF Film Capacitor 63V 100V Polyester, Polyethylene Naphthalate (PEN), Metallized - Stacked 1913 (4833 Metric) 0.189" L x 0.130" W (4.80mm x 3.30mm)
Datesheet 다운로드
다운로드
FCN1913A823K-E3 가격 및 조달

가능 수량

1150 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 577.72900
우리의 가격
Quote by Email

수량

 

We are the stock Distributor of FCN1913A823K-E3, we specialize in all series Cornell Dubilier Electronics (CDE) electronic components. FCN1913A823K-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FCN1913A823K-E3, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
FCN1913A823K-E3 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
FCN1913A823K-E3 매개 변수
내부 부품 번호EIS-FCN1913A823K-E3
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서FCN Type
종류커패시터
제품군필름 커패시터
제조업체Cornell Dubilier Electronics (CDE)
계열FCN
포장테이프 및 릴(TR)
정전 용량0.082µF
허용 오차±10%
정격 전압 - AC63V
정격 전압 - DC100V
유전체 소재폴리에스테르, 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN), 금속화 - 적층형
등가 직렬 저항(ESR)-
작동 온도-40°C ~ 85°C
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스1913(4833 미터법)
크기/치수0.189" L x 0.130" W(4.80mm x 3.30mm)
높이 - 장착(최대)0.118"(3.00mm)
종단솔더 패드
리드 간격-
응용 제품범용
특징-
표준 포장 2,000
무게0.001 KG
신청Email for details
대체 부품 (교체)FCN1913A823K-E3
관련 링크FCN1913, FCN1913A823K-E3 Datasheet, Cornell Dubilier Electronics (CDE) Distributor
FCN1913A823K-E3 의 관련 제품
500pF 13000V(13kV) 세라믹 커패시터 Y5P(B) 디스크, 금속 피팅 - 스레딩 1.339" Dia x 1.083" L(34.00mm x 27.50mm) FD-18AU.pdf
0.047µF 6.3V 세라믹 커패시터 X5R 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) JMK063BJ473MP-F.pdf
0.30pF 6.3V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) CBR02C308A9GAC.pdf
13pF 500V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1111(2828 미터법) 0.110" L x 0.110" W(2.79mm x 2.79mm) 501S42E130GV4E.pdf
0.047µF Film Capacitor 100V 160V Polypropylene (PP), Metallized Axial 0.217" Dia x 0.433" L (5.50mm x 11.00mm) MKP1839347165.pdf
13.56MHz ±20ppm 수정 12pF 60옴 -40°C ~ 85°C AEC-Q200 표면실장(SMD, SMT) HC49/US AT-13.560MDHE-T.pdf
27MHz ±15ppm 수정 12pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) 416F270X2ALT.pdf
33MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 1.8 V ~ 3.3 V 7.2mA Standby (Power Down) DSC1001CL1-033.0000T.pdf
IGBT 650V 290A 940W TO264 IXXK160N65C4.pdf
RES SMD 162 OHM 1% 3W 5322 PWR5322W1620FE.pdf
RES SMD 33.2K OHM 0.1% 1/2W 2512 TNPW251233K2BEEY.pdf
RES 21.5K OHM 1/2W 0.5% AXIAL CMF5521K500DHEB.pdf