창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FCP36N60N | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | FCP36N60N | |
PCN 조립/원산지 | Additional MFG Site 3/Dec/2015 | |
PCN 포장 | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | SupreMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 36A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 90m옴 @ 18A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 112nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4785pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 312W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220 | |
표준 포장 | 50 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | FCP36N60N | |
관련 링크 | FCP3, FCP36N60N Datasheet, Fairchild Semiconductor Distributor |
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![]() | IHSM3825ER470L | 47µH Unshielded Inductor 740mA 646 mOhm Max Nonstandard | IHSM3825ER470L.pdf | |
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![]() | ERA-8APB6492V | RES SMD 64.9K OHM 0.1% 1/4W 1206 | ERA-8APB6492V.pdf | |
![]() | CRGH2010F5K36 | RES SMD 5.36K OHM 1% 1W 2010 | CRGH2010F5K36.pdf | |
![]() | RG1608P-2870-P-T1 | RES SMD 287 OHM 0.02% 1/10W 0603 | RG1608P-2870-P-T1.pdf | |
![]() | HRG3216P-3160-B-T1 | RES SMD 316 OHM 0.1% 1W 1206 | HRG3216P-3160-B-T1.pdf | |
![]() | CMF651M0000FEEB | RES 1M OHM 1.5W 1% AXIAL | CMF651M0000FEEB.pdf | |
![]() | CMF602K0000JKEK | RES 2K OHM 1W 5% AXIAL | CMF602K0000JKEK.pdf |