창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FCP9N60N | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | FCP9N60N/FCPF9N60NT TO220B03 Pkg Drawing | |
PCN 포장 | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014 | |
카탈로그 페이지 | 1602 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | SuperMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 9A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 385m옴 @ 4.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 29nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1240pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 83.3W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
표준 포장 | 50 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | FCP9N60N | |
관련 링크 | FCP9, FCP9N60N Datasheet, Fairchild Semiconductor Distributor |
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![]() | TAJD336M010SNJ | 33µF Molded Tantalum Capacitors 10V 2917 (7343 Metric) 0.287" L x 0.169" W (7.30mm x 4.30mm) | TAJD336M010SNJ.pdf | |
![]() | SMDA05C-8E3/TR7 | TVS DIODE 5VWM 11VC 14SOIC | SMDA05C-8E3/TR7.pdf | |
![]() | ECS-196.6-20-7S-TR | 19.6608MHz ±30ppm 수정 20pF 40옴 -10°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SOJ, 9.40mm 피치 | ECS-196.6-20-7S-TR.pdf | |
![]() | SIT3807AI-D2-33NE-40.000000Y | OSC XO 3.3V 40MHZ NC | SIT3807AI-D2-33NE-40.000000Y.pdf | |
![]() | TJ8S06M3L(T6L1,NQ) | MOSFET P-CH 60V 8A DPAK-3 | TJ8S06M3L(T6L1,NQ).pdf | |
![]() | SM-42TW105 | 1M Ohm 0.25W, 1/4W J Lead Surface Mount Trimmer Potentiometer Cermet 11 Turn Top Adjustment | SM-42TW105.pdf | |
![]() | 3386S-1-104LF | 100k Ohm 0.5W, 1/2W PC Pins Through Hole Trimmer Potentiometer Cermet 1 Turn Side Adjustment | 3386S-1-104LF.pdf | |
![]() | 36502A8N2JTDG | 8.2nH Unshielded Wirewound Inductor 600mA 120 mOhm Max 0805 (2012 Metric) | 36502A8N2JTDG.pdf | |
![]() | CMF55442R00DHRE | RES 442 OHM 1/2W .5% AXIAL | CMF55442R00DHRE.pdf |