Fairchild Semiconductor FCPF11N60T
- 제조업체 부품 번호
- FCPF11N60T
- 제조업 자
- Fairchild Semiconductor
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 600V 11A TO-220F
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
FCPF11N60T 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 1,820.53900
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of FCPF11N60T, we specialize in all series Fairchild Semiconductor electronic components. FCPF11N60T can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FCPF11N60T, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- FCPF11N60T 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
FCPF11N60T 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-FCPF11N60T | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | FCP11N60, FCPF11N60 | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
| PCN 조립/원산지 | Wafer Fabrication 04/Feb/2013 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | SuperFET™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 11A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 380m옴 @ 5.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 52nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1490pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 36W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220F | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | FCPF11N60T | |
| 관련 링크 | FCPF1, FCPF11N60T Datasheet, Fairchild Semiconductor Distributor | |
FCPF11N60T 의 관련 제품
 | EEF-CD0E101ER | 100µF 2.5V Aluminum - Polymer Capacitors 2917 (7343 Metric) 18 mOhm 1000 Hrs @ 105°C | EEF-CD0E101ER.pdf | |
 | B43041A9686M | 68µF 400V Aluminum Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 105°C | B43041A9686M.pdf | |
 | C0805S123K1RACTU | 0.012µF 100V 세라믹 커패시터 X7R 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | C0805S123K1RACTU.pdf | |
 | 1825CC104KATME | 0.10µF 630V 세라믹 커패시터 X7R 1825(4564 미터법) 0.177" L x 0.252" W(4.50mm x 6.40mm) | 1825CC104KATME.pdf | |
| 0ATO030.HXGLO | FUSE AUTO 30A 32VAC/VDC BLADE | 0ATO030.HXGLO.pdf | |
 | SMCJ6.0A-13 | TVS DIODE 6VWM 10.3VC SMC | SMCJ6.0A-13.pdf | |
| FA-238 20.0000MD30X-B5 | 20MHz ±30ppm 수정 16pF 60옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | FA-238 20.0000MD30X-B5.pdf | |
 | 1N5538B | DIODE ZENER 18V 500MW DO35 | 1N5538B.pdf | |
 | SCRH1035R-470 | 47µH Shielded Inductor 1.52A 218 mOhm Max Nonstandard | SCRH1035R-470.pdf | |
 | CPCP051R000FB31 | RES 1 OHM 5W 1% RADIAL | CPCP051R000FB31.pdf | |
| Y1441100R000T9L | RES 100 OHM 1W 0.01% RADIAL | Y1441100R000T9L.pdf | |
 | ACS714LLCTR-30A-T | Current Sensor 30A 1 Channel Hall Effect, Open Loop Bidirectional 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | ACS714LLCTR-30A-T.pdf |
