창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FDA69N25 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | FDA69N25 | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
PCN 설계/사양 | Heat Sink Drawing Update 11/Feb/2014 | |
PCN 조립/원산지 | Wafer Fabrication 04/Feb/2013 Assembly Site Transfer 06/Apr/2015 | |
PCN 포장 | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014 | |
카탈로그 페이지 | 1602 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | UniFET™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 250V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 69A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 41m옴 @ 34.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 100nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4640pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 480W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-3P-3, SC-65-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-3PN | |
표준 포장 | 30 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | FDA69N25 | |
관련 링크 | FDA6, FDA69N25 Datasheet, Fairchild Semiconductor Distributor |
ESH108M050AM7AA | 1000µF 50V Aluminum Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 105°C | ESH108M050AM7AA.pdf | ||
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CMF655K6200FKEA11 | RES 5.62K OHM 1.5W 1% AXIAL | CMF655K6200FKEA11.pdf | ||
HAL221TQ-K | IC HALL EFFECT SWITCH UNI SOT89 | HAL221TQ-K.pdf | ||
TL-N5ME1 | Inductive Proximity Sensor 0.197" (5mm) IP67 Module | TL-N5ME1.pdf | ||
MC33363BDWR2G | Converter Offline Flyback, Forward Topology 67.5kHz ~ 285kHz 16-SOIC | MC33363BDWR2G.pdf |