창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FDB16AN08A0 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | FDB16AN08A0 | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
PCN 설계/사양 | Description Chg 01/Apr/2016 | |
PCN 포장 | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | PowerTrench® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 75V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 9A(Ta), 58A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 16m옴 @ 58A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 42nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1857pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 135W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | TO-263AB | |
표준 포장 | 800 | |
다른 이름 | FDB16AN08A0-ND FDB16AN08A0TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | FDB16AN08A0 | |
관련 링크 | FDB16, FDB16AN08A0 Datasheet, Fairchild Semiconductor Distributor |
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VJ0603D220MLAAJ | 22pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D220MLAAJ.pdf | ||
VJ0603D8R2CLAAP | 8.2pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D8R2CLAAP.pdf | ||
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P51-2000-A-R-I36-4.5OVP-000-000 | Pressure Sensor 2000 PSI (13789.51 kPa) Absolute Male - M12 x 1.0 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P51-2000-A-R-I36-4.5OVP-000-000.pdf | ||
E2E-X5MY15 2M | Inductive Proximity Sensor 0.197" (5mm) IP67 Cylinder, Threaded - M12 | E2E-X5MY15 2M.pdf |