Fairchild Semiconductor FDB2532_F085

FDB2532_F085
제조업체 부품 번호
FDB2532_F085
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 150V 79A D2PAK
Datesheet 다운로드
다운로드
FDB2532_F085 가격 및 조달

가능 수량

1150 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 1,982.12003
우리의 가격
Quote by Email

수량

 

We are the stock Distributor of FDB2532_F085, we specialize in all series Fairchild Semiconductor electronic components. FDB2532_F085 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDB2532_F085, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
FDB2532_F085 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
FDB2532_F085 매개 변수
내부 부품 번호EIS-FDB2532_F085
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서FDB2532_F085
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Fairchild Semiconductor
계열자동차, AEC-Q101, PowerTrench®
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)150V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C79A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs16m옴 @ 33A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)4V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs107nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds5870pF @ 25V
전력 - 최대310W
작동 온도-55°C ~ 175°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB
공급 장치 패키지TO-263(D2Pak)
표준 포장 800
다른 이름FDB2532_F085-ND
FDB2532_F085TR
무게0.001 KG
신청Email for details
대체 부품 (교체)FDB2532_F085
관련 링크FDB253, FDB2532_F085 Datasheet, Fairchild Semiconductor Distributor
FDB2532_F085 의 관련 제품
0.22µF 100V 세라믹 커패시터 Z5U 축방향 0.150" Dia x 0.400" L(3.81mm x 10.16mm) C440C224M1U5TA7200.pdf
50pF 400VAC 세라믹 커패시터 SL 방사형, 디스크 0.315" Dia(8.00mm) C911U500JVSDCA7317.pdf
4.7µF Conformal Coated Tantalum Capacitors 25V Radial 0.197" Dia (5.00mm) 199D475X9025B6V1E3.pdf
125MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 1.8 V ~ 3.3 V 16mA Standby (Power Down) ASFLMB-125.000MHZ-LR-T.pdf
1MHz ~ 220MHz HCSL MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 2.5V 80mA Enable/Disable SIT9002AC-48H25EK.pdf
DIODE GEN PURP 800V 40A TO263 DLA40IM800PC.pdf
Yellow-Green 572nm LED Indication - Discrete 2V 1206 (3216 Metric) EASRL3216GA0.pdf
390µH Unshielded Wirewound Inductor 380mA 2.73 Ohm Max 2-SMD 4922-32J.pdf
RES SMD 56 OHM 0.1% 0.4W 2010 TNPW201056R0BETF.pdf
RES SMD 3.9K OHM 1% 1/8W 0805 CRCW08053K90FKTA.pdf
RES 32K OHM 13W 10% AXIAL CW01032K00KE733.pdf
RF IC VCO, Buffer Amp Radar 8GHz ~ 12.5GHz 24-SMT (4x4) HMC588LC4B.pdf