창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FDB38N30U | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | FDB38N30U | |
PCN 설계/사양 | Description Chg 01/Apr/2016 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | UniFET™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 300V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 38A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 120m옴 @ 19A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 73nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3340pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 313W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | TO-263(D²Pak) | |
표준 포장 | 800 | |
다른 이름 | FDB38N30U-ND FDB38N30UTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | FDB38N30U | |
관련 링크 | FDB3, FDB38N30U Datasheet, Fairchild Semiconductor Distributor |
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![]() | RT0402DRE071K05L | RES SMD 1.05KOHM 0.5% 1/16W 0402 | RT0402DRE071K05L.pdf | |
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![]() | RT0805BRB0791KL | RES SMD 91K OHM 0.1% 1/8W 0805 | RT0805BRB0791KL.pdf | |
![]() | H4357RBYA | RES 357 OHM 1/2W 0.1% AXIAL | H4357RBYA.pdf | |
![]() | P51-1000-S-Y-I12-4.5V-000-000 | Pressure Sensor 1000 PSI (6894.76 kPa) Sealed Gauge Female - 7/16" (11.11mm) UNF 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P51-1000-S-Y-I12-4.5V-000-000.pdf |