창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FDB7030BL | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | FDB7030BL, FDP7030BL | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
PCN 설계/사양 | Description Chg 01/Apr/2016 | |
PCN 포장 | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | PowerTrench® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 60A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 9m옴 @ 30A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 24nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1760pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 60W | |
작동 온도 | -65°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | TO-263(D2Pak) | |
표준 포장 | 800 | |
다른 이름 | FDB7030BL-ND FDB7030BLTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | FDB7030BL | |
관련 링크 | FDB7, FDB7030BL Datasheet, Fairchild Semiconductor Distributor |
![]() | 7022.0700 | FUSE CERAMIC 10A 500VAC 3AB 3AG | 7022.0700.pdf | |
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![]() | TS049F23CET | 4.9152MHz ±20ppm 수정 20pF 120옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | TS049F23CET.pdf | |
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![]() | RNF14FTD2K15 | RES 2.15K OHM 1/4W 1% AXIAL | RNF14FTD2K15.pdf | |
![]() | SFR2500005101JR500 | RES 5.1K OHM 0.4W 5% AXIAL | SFR2500005101JR500.pdf | |
![]() | CMF554K2200FHEK | RES 4.22K OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF554K2200FHEK.pdf | |
![]() | CPR07R3900JE10 | RES 0.39 OHM 7W 5% RADIAL | CPR07R3900JE10.pdf | |
![]() | KTY82/251,215 | PTC Thermistor 1.95k Ohm TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | KTY82/251,215.pdf |