Fairchild Semiconductor FDB8030L

FDB8030L
제조업체 부품 번호
FDB8030L
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
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MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
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내부 부품 번호EIS-FDB8030L
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서FDB8030L, FDP8030L
제품 교육 모듈High Voltage Switches for Power Processing
PCN 설계/사양Description Chg 01/Apr/2016
PCN 포장Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014
카탈로그 페이지 1601 (KR2011-KO PDF)
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Fairchild Semiconductor
계열PowerTrench®
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징논리 레벨 게이트
드레인 - 소스 전압(Vdss)30V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C80A(Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs3.5m옴 @ 80A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)2V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs170nC(5V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds10500pF @ 15V
전력 - 최대187W
작동 온도-65°C ~ 175°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB
공급 장치 패키지D²PAK
표준 포장 800
다른 이름FDB8030LTR
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)FDB8030L
관련 링크FDB8, FDB8030L Datasheet, Fairchild Semiconductor Distributor
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