창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FDB8870_F085 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | FDB8870_F085 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | 자동차, AEC-Q101, PowerTrench® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 23A(Ta), 160A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.9m옴 @ 35A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 132nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5200pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 160W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | D2PAK | |
표준 포장 | 800 | |
다른 이름 | FDB8870_F085-ND FDB8870_F085TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | FDB8870_F085 | |
관련 링크 | FDB887, FDB8870_F085 Datasheet, Fairchild Semiconductor Distributor |
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![]() | RE1206FRE0720R5L | RES SMD 20.5 OHM 1% 1/4W 1206 | RE1206FRE0720R5L.pdf | |
![]() | RG2012P-8661-W-T5 | RES SMD 8.66KOHM 0.05% 1/8W 0805 | RG2012P-8661-W-T5.pdf | |
![]() | PTN1206E1181BST1 | RES SMD 1.18K OHM 0.1% 0.4W 1206 | PTN1206E1181BST1.pdf | |
![]() | Y406521R5000F0W | RES SMD 21.5 OHM 1% 0.8W 2010 | Y406521R5000F0W.pdf | |
![]() | CRCW080525K5FKEAHP | RES SMD 25.5K OHM 1% 1/2W 0805 | CRCW080525K5FKEAHP.pdf | |
![]() | EXB-Q16P151J | RES ARRAY 15 RES 150 OHM 1506 | EXB-Q16P151J.pdf |