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Fairchild Semiconductor FDC608PZ

FDC608PZ
제조업체 부품 번호
FDC608PZ
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
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MOSFET P-CH 20V 5.8A SSOT-6
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내부 부품 번호EIS-FDC608PZ
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서FDC608PZ
PCN 설계/사양FDC6x, NDC7003P Die 11/May/2007
Mold Compound 08/April/2008
PCN 포장Binary Year Code Marking 15/Jan/2014
카탈로그 페이지 1598 (KR2011-KO PDF)
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Fairchild Semiconductor
계열PowerTrench®
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET P-Chan, 금속 산화물
FET 특징논리 레벨 게이트, 2.5V 구동
드레인 - 소스 전압(Vdss)20V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C5.8A(Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs30m옴 @ 5.8A, 4.5V
Id 기준 Vgs(th)(최대)1.5V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs23nC(4.5V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds1330pF @ 10V
전력 - 최대800mW
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
공급 장치 패키지SuperSOT™-6
표준 포장 3,000
다른 이름FDC608PZTR
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)FDC608PZ
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