Fairchild Semiconductor FDC6310P
- 제조업체 부품 번호
- FDC6310P
- 제조업 자
- Fairchild Semiconductor
- 제품 카테고리
- FET - 어레이
- 간단한 설명
- MOSFET 2P-CH 20V 2.2A SSOT-6
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
FDC6310P 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 239.74030
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of FDC6310P, we specialize in all series Fairchild Semiconductor electronic components. FDC6310P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDC6310P, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- FDC6310P 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
FDC6310P 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-FDC6310P | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | FDC6310P | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
| PCN 설계/사양 | Mold Compound 08/April/2008 | |
| PCN 포장 | Binary Year Code Marking 15/Jan/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | PowerTrench® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 2 P-Chan(이중) | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2.2A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 125m옴 @ 2.2A, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 5.2nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 337pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 700mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
| 공급 장치 패키지 | SuperSOT™-6 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | FDC6310P-ND FDC6310PFSTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | FDC6310P | |
| 관련 링크 | FDC6, FDC6310P Datasheet, Fairchild Semiconductor Distributor | |
FDC6310P 의 관련 제품
 | LGN2V181MELZ30 | 180µF 350V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 3000 Hrs @ 105°C | LGN2V181MELZ30.pdf | |
 | RHEF200 | POLYSWITCH PTC RESET 2A HOLD | RHEF200.pdf | |
 | FA-238V 12.0000MF10V-W3 | 12MHz ±10ppm 수정 12pF 100옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | FA-238V 12.0000MF10V-W3.pdf | |
 | FXO-LC536R-250 | 250MHz LVDS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V 100mA Enable/Disable | FXO-LC536R-250.pdf | |
 | S1PJ-M3/85A | DIODE GEN PURP 600V 1A DO220AA | S1PJ-M3/85A.pdf | |
 | FN2060A-20-08 | FILTER 1-PHASE MULTI-STAGE 20A | FN2060A-20-08.pdf | |
| 0819R-66G | 56µH Unshielded Molded Inductor 69mA 10 Ohm Max Axial | 0819R-66G.pdf | |
| JTV1G-PA-5V | JTV RELAY 1 FORM C 5V | JTV1G-PA-5V.pdf | |
| SHS1S110A | SS TIMR INTERVAL, 1S, 110VAC | SHS1S110A.pdf | |
.jpg) | RT1206FRD07332KL | RES SMD 332K OHM 1% 1/4W 1206 | RT1206FRD07332KL.pdf | |
 | RNMF14JTD4K70 | RES 4.7K OHM 1/4W 5% AXIAL | RNMF14JTD4K70.pdf | |
 | TWM5J10KE | RES 10K OHM 5W 5% RADIAL | TWM5J10KE.pdf |
