창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FDC645N | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | FDC645N | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
PCN 설계/사양 | Mold Compound 08/April/2008 | |
PCN 포장 | Binary Year Code Marking 15/Jan/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | PowerTrench® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5.5A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 26m옴 @ 6.2A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 21nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1460pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 800mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
공급 장치 패키지 | SuperSOT™-6 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | FDC645N-ND FDC645NTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | FDC645N | |
관련 링크 | FDC, FDC645N Datasheet, Fairchild Semiconductor Distributor |
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![]() | RU 1 | DIODE GEN PURP 400V 250MA AXIAL | RU 1.pdf | |
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![]() | PHP00805H8161BST1 | RES SMD 8.16K OHM 0.1% 5/8W 0805 | PHP00805H8161BST1.pdf | |
![]() | RCP1206B680RGEB | RES SMD 680 OHM 2% 11W 1206 | RCP1206B680RGEB.pdf | |
![]() | CRA06P08333K0JTA | RES ARRAY 4 RES 33K OHM 1206 | CRA06P08333K0JTA.pdf | |
![]() | CMF60332K00FKEK | RES 332K OHM 1W 1% AXIAL | CMF60332K00FKEK.pdf |