창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FDD16AN08A0 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | FDD16AN08A0 | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
PCN 설계/사양 | Description Chg 01/Apr/2016 | |
PCN 포장 | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014 | |
카탈로그 페이지 | 1601 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | UltraFET™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 75V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 9A(Ta), 50A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 16m옴 @ 50A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 47nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1874pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 135W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | TO-252AA | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | FDD16AN08A0-ND FDD16AN08A0TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | FDD16AN08A0 | |
관련 링크 | FDD16, FDD16AN08A0 Datasheet, Fairchild Semiconductor Distributor |
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![]() | NTLUS3A40PZTBG | MOSFET P-CH 20V 4A 6UDFN | NTLUS3A40PZTBG.pdf | |
![]() | ERJ-3GEYK126V | RES SMD 12M OHM 10% 1/10W 0603 | ERJ-3GEYK126V.pdf | |
![]() | RT1210BRD07560KL | RES SMD 560K OHM 0.1% 1/4W 1210 | RT1210BRD07560KL.pdf | |
![]() | RCP2512W18R0JET | RES SMD 18 OHM 5% 22W 2512 | RCP2512W18R0JET.pdf | |
![]() | CRCW06035M62FKEB | RES SMD 5.62M OHM 1% 1/10W 0603 | CRCW06035M62FKEB.pdf | |
![]() | RAVF164DJT7M60 | RES ARRAY 4 RES 7.6M OHM 1206 | RAVF164DJT7M60.pdf | |
![]() | 62D15-02-040C | ENCODER OPTICAL 24POS 4" CBL | 62D15-02-040C.pdf | |
![]() | US2881ESE-AAA-000-RE | IC LATCH CMOS H-S TSOT-23 | US2881ESE-AAA-000-RE.pdf |