창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FDD18N20LZ | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | FDD18N20LZ | |
PCN 설계/사양 | Description Chg 01/Apr/2016 | |
PCN 포장 | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | UniFET™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 16A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 125m옴 @ 8A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 40nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1575pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 89W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | D-Pak | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | FDD18N20LZ-ND FDD18N20LZTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | FDD18N20LZ | |
관련 링크 | FDD18, FDD18N20LZ Datasheet, Fairchild Semiconductor Distributor |
0402ZD104KAT2A | 0.10µF 10V 세라믹 커패시터 X5R 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | 0402ZD104KAT2A.pdf | ||
VJ0805D131MLBAR | 130pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D131MLBAR.pdf | ||
EEC-S5R5V105 | 1F Supercap 5.5V Axial, Can - Vertical 30 Ohm @ 1kHz 1000 Hrs @ 70°C 0.748" Dia (19.00mm) | EEC-S5R5V105.pdf | ||
MDL-V-3-2/10-R | FUSE GLASS 3.2A 250VAC 3AB 3AG | MDL-V-3-2/10-R.pdf | ||
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CMF55150K00BEEA70 | RES 150K OHM 1/2W 0.1% AXIAL | CMF55150K00BEEA70.pdf |