창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FDD20AN06A0_F085 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | FDD20AN06A0 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | 자동차, AEC-Q101, PowerTrench® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 8A(Ta), 45A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 20m옴 @ 45A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 19nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 950pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 90W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | TO-252AA | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | FDD20AN06A0_F085-ND FDD20AN06A0_F085TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | FDD20AN06A0_F085 | |
관련 링크 | FDD20AN0, FDD20AN06A0_F085 Datasheet, Fairchild Semiconductor Distributor |
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![]() | SE20DDHM3/I | DIODE GEN PURP 200V 3.9A TO263AC | SE20DDHM3/I.pdf | |
![]() | TE150B47RJ | RES CHAS MNT 47 OHM 5% 150W | TE150B47RJ.pdf | |
![]() | RC1206DR-071R07L | RES SMD 1.07 OHM 0.5% 1/4W 1206 | RC1206DR-071R07L.pdf | |
![]() | AT1206DRE0730K9L | RES SMD 30.9K OHM 0.5% 1/4W 1206 | AT1206DRE0730K9L.pdf | |
![]() | AC2512FK-0739RL | RES SMD 39 OHM 1% 1W 2512 | AC2512FK-0739RL.pdf | |
![]() | MBB02070C1278FC100 | RES 1.27 OHM 0.6W 1% AXIAL | MBB02070C1278FC100.pdf | |
![]() | CW001270R0JS70 | RES 270 OHM 5% AXIAL | CW001270R0JS70.pdf | |
![]() | NPC-1210-050G-1-N | Pressure Sensor 50 PSI (344.74 kPa) Vented Gauge Male - 0.13" (3.23mm) Tube 0 mV ~ 100 mV 8-DIP Module | NPC-1210-050G-1-N.pdf |