창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FDD3670 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | FDD3670 | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
PCN 설계/사양 | Description Chg 01/Apr/2016 | |
PCN 포장 | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | PowerTrench® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 34A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 32m옴 @ 7.3A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 80nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2490pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 1.6W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | TO-252 | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | FDD3670-ND FDD3670TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | FDD3670 | |
관련 링크 | FDD, FDD3670 Datasheet, Fairchild Semiconductor Distributor |
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![]() | MKP385436100JKM2T0 | 0.36µF Film Capacitor 350V 1000V (1kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.220" L x 0.512" W (31.00mm x 13.00mm) | MKP385436100JKM2T0.pdf | |
![]() | SRP1040-1R7M | 1.7µH Shielded Inductor 15A 7.5 mOhm Max Nonstandard | SRP1040-1R7M.pdf | |
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![]() | RC1005J200CS | RES SMD 20 OHM 5% 1/16W 0402 | RC1005J200CS.pdf | |
![]() | RMCP2010FT2K15 | RES SMD 2.15K OHM 1% 1W 2010 | RMCP2010FT2K15.pdf | |
![]() | CRCW08055R60JNTA | RES SMD 5.6 OHM 5% 1/8W 0805 | CRCW08055R60JNTA.pdf | |
![]() | CRCW0805200KFKTB | RES SMD 200K OHM 1% 1/8W 0805 | CRCW0805200KFKTB.pdf | |
![]() | WW12FT365R | RES 365 OHM 0.4W 1% AXIAL | WW12FT365R.pdf | |
![]() | PPT0100GWR5VB | Pressure Sensor 100 PSI (689.48 kPa) Vented Gauge Male - 0.13" (3.18mm) Tube, Dual 0 V ~ 5 V Module Cube | PPT0100GWR5VB.pdf |